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全丝印后栅CNT-FED仿真及器件研究 被引量:3
1
作者 杨雄 胡利勤 +3 位作者 吴朝兴 陈勇 林志龙 郭太良 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期196-199,共4页
模拟并制作了一种基于丝网印刷技术的后栅结构碳纳米管场发射显示器。采用有限元分析软件ANSYS对器件进行了电场模拟,优化了阴极宽度、阴极厚度、阴极间隙、介质层厚度等结构参数。取最优参数制作了像素为30×30,发光面积为54mm... 模拟并制作了一种基于丝网印刷技术的后栅结构碳纳米管场发射显示器。采用有限元分析软件ANSYS对器件进行了电场模拟,优化了阴极宽度、阴极厚度、阴极间隙、介质层厚度等结构参数。取最优参数制作了像素为30×30,发光面积为54mm×54mm的单色显示屏。在阳压为1500V、栅压为300V时,器件发射电流密度达到5μA/cm2。该器件制作成本低,稳定性和均匀性良好,可矩阵寻址实现字符显示。 展开更多
关键词 丝网印刷 后栅 ANSYS 场发射显示器 仿真
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后栅结构SnO_2场致发射显示器件的研制 被引量:1
2
作者 王灵婕 林金阳 +3 位作者 游玉香 叶芸 杨尊先 郭太良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期188-191,共4页
采用高温气相法生长SnO2纳米线,扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析表明所生长的SnO2纳米线大小均匀,直径约为150 nm,长可达10μm。结合丝网印刷法转移SnO2,制备成阴极阵列。封接阴极板与荧光屏成后栅型场致发射显示(FED)器件,测试其场致... 采用高温气相法生长SnO2纳米线,扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析表明所生长的SnO2纳米线大小均匀,直径约为150 nm,长可达10μm。结合丝网印刷法转移SnO2,制备成阴极阵列。封接阴极板与荧光屏成后栅型场致发射显示(FED)器件,测试其场致发射性能,分析讨论栅极电压和阳极电压对场发射性能的影响。实验表明后栅型SnO2-FED具有良好的栅极调控作用,在1600 V阳极电压和200 V栅极电压下工作实现全屏发光,平均发光亮度为560 cd/m2,具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 SNO2 纳米线 后栅结构 场致发射
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后栅型场发射显示器窜压现象的研究 被引量:1
3
作者 吴朝兴 胡利勤 +2 位作者 苏艺菁 李昱 郭太良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期12-16,共5页
提出后栅型场发射显示器(FED)测试过程中的窜压现象,解释该现象的产生原因。阴极电极侧壁场发射电子轰击栅极导致电压表示数发生变化。针对此问题设计一种具有沟槽状介质层结构的后栅型FED从而避免阴极电极侧壁的电子发射。采用全印... 提出后栅型场发射显示器(FED)测试过程中的窜压现象,解释该现象的产生原因。阴极电极侧壁场发射电子轰击栅极导致电压表示数发生变化。针对此问题设计一种具有沟槽状介质层结构的后栅型FED从而避免阴极电极侧壁的电子发射。采用全印刷技术制作场发射显示阵列。实验表明此器件具有良好的发射稳定性及栅压调控特性,有效杜绝窜压现象的发生。阳极电压为600 V,栅极电压在100~250 V范围内对阳极电流有良好的调控作用。 展开更多
关键词 窜压现象 沟槽状介质层 二次电子发射 后栅型结构 场致发射
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后栅结构四针状纳米ZnO场致发射显示器的研制 被引量:1
4
作者 林志贤 郭太良 王晶晶 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期437-440,共4页
为了解决二极结构FED驱动电压高的问题,设计制作了后栅式三极结构纳米ZnO场致发射显示器,进行了场致发射实验,验证这种结构的可行性。采用丝网印刷厚膜技术实现后栅极结构FED的制作,工艺简单,实现了较低电压的调制。对影响场致发射性能... 为了解决二极结构FED驱动电压高的问题,设计制作了后栅式三极结构纳米ZnO场致发射显示器,进行了场致发射实验,验证这种结构的可行性。采用丝网印刷厚膜技术实现后栅极结构FED的制作,工艺简单,实现了较低电压的调制。对影响场致发射性能的栅极电压、阳极电压进行了分析讨论。将阴栅极板和荧光屏封装成5英寸三极结构的场致发射显示器,实现了稳定的场致电子发光显示。 展开更多
关键词 光电子学 场致发射 四针状氧化锌 丝网印刷 后栅结构
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SiO_2/聚酰亚胺/SiO_2复合薄膜绝缘性能及基于聚酰亚胺复合薄膜的后栅型场致发射性能的研究 被引量:2
5
作者 郑灼勇 于光龙 +3 位作者 张志坚 陈景水 郭太良 张永爱 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期214-218,共5页
使用射频磁控溅射和化学溶液法制备了SiO2/聚酰亚胺(PI)/SiO2绝缘膜。分别使用X射线衍射、扫描电镜对薄膜结构和薄膜表面形貌进行了表征;利用超高阻微电流测试仪测试了SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性;采用SiO2/PI/SiO2作... 使用射频磁控溅射和化学溶液法制备了SiO2/聚酰亚胺(PI)/SiO2绝缘膜。分别使用X射线衍射、扫描电镜对薄膜结构和薄膜表面形貌进行了表征;利用超高阻微电流测试仪测试了SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性;采用SiO2/PI/SiO2作为绝缘膜,制作了后栅型场致发射器件,使用场发射测试系统测试了器件的开启电压、发射电流以及发光亮度。结果表明:SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜具有高的击穿电压和低的漏电流密度,后栅器件中栅极对阴极表面的电场强度调控作用明显,阳极电压为750V时,栅极开启电压为91 V,阳极电流可达384μA,栅极漏电流仅为59μA,器件最高亮度可达600 cd/m2。 展开更多
关键词 聚酰亚胺场发射复合薄膜后栅
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刻蚀型介质后栅FED器件的研究
6
作者 胡利勤 《光电子技术》 CAS 北大核心 2010年第4期266-269,共4页
针对后栅型场致发射显示器(FED)器件介质层制作困难的问题,提出采用刻蚀型介质制作后栅型FED器件。该器件采用普通银浆制作栅极电极,以刻蚀型介质制作介质层,采用感光银浆制作阴极电极,并作为介质刻蚀的掩膜层,CNT为阴极发射材料。器件... 针对后栅型场致发射显示器(FED)器件介质层制作困难的问题,提出采用刻蚀型介质制作后栅型FED器件。该器件采用普通银浆制作栅极电极,以刻蚀型介质制作介质层,采用感光银浆制作阴极电极,并作为介质刻蚀的掩膜层,CNT为阴极发射材料。器件耐压测试结果表明该介质层耐压性能良好,场发射测试结果表明该器件场发射性能优良。 展开更多
关键词 刻蚀型介质 场致发射 后栅
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用于后栅工艺的SOI-FinFET选择性沟道缩小技术
7
作者 李俊锋 马小龙 +1 位作者 王防防 许淼 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第7期460-473,共14页
在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区寄生电阻增大,驱动电流减小。提出了一种用于FinFET后栅工艺的选择性沟道缩小技术,即在去除多晶硅假栅后... 在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区寄生电阻增大,驱动电流减小。提出了一种用于FinFET后栅工艺的选择性沟道缩小技术,即在去除多晶硅假栅后,对沟道区露出的Fin进行氢气(含氯基)热退火处理,在减小沟道区Fin的宽度、使沟道区Fin表面光滑的同时,保持源漏扩展区Fin的宽度不变。这种自对准的沟道缩小方法简单有效地解决了亚阈值特性和源漏扩展区寄生电阻对Fin宽要求不一致的问题,并改善了器件的拐角效应。这项工艺集成技术应用于栅长为25 nm^0.5μm的SOI-FinFET器件结构中,并测试得到了良好的器件电学特性。 展开更多
关键词 FinFET器件 SOI衬底 后栅工艺 选择性沟道缩小 亚阈值特性
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金属栅功函数优化及其后栅工艺对32nm器件性能的模拟研究
8
作者 赵猛 施雪捷 +2 位作者 杨勇胜 潘梓诚 俞少峰 《科学技术与工程》 北大核心 2013年第30期8921-8927,共7页
基于Synopsys SWB仿真平台,研究了高K介质金属栅器件中栅功函数变化在N/PMOSFET器件的影响;模拟和分析了金属栅功函数在L gate=32 nm N/PMOSFET器件工作特性提高中的最佳优化方向及其机理。研究结果表明,栅极功函数对N/PMOS器件工作电流... 基于Synopsys SWB仿真平台,研究了高K介质金属栅器件中栅功函数变化在N/PMOSFET器件的影响;模拟和分析了金属栅功函数在L gate=32 nm N/PMOSFET器件工作特性提高中的最佳优化方向及其机理。研究结果表明,栅极功函数对N/PMOS器件工作电流I dsat的影响并非简单地单调变化,而是呈现类似钟型分布的特性;存在最佳工作点。同时金属功函数的优化对于器件短沟道效应SCE和关断漏电流的抑制有着显著地影响。此外通过模拟金属栅替代多晶硅栅的应力模拟表明,自去除多晶硅栅到在沉积金属栅的过程中,会对器件沟道区产生明显的应力作用,从而极大提高器件的工作电流特性。因而,采用优化的金属栅代替多晶硅栅结合High-k材料可以有力推动CMOS器件继续沿着摩尔定律向更小器件尺寸的发展。 展开更多
关键词 金属 功函数 短沟道效应 工作电流 后栅工艺 机械应力
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在格芯22 FDSOI中后栅偏压可调及对模拟电路设计PPA优势
9
作者 祝晓波 Peter Hang +2 位作者 张弛 Don Blackwell Vijay Kanagala 《中国集成电路》 2017年第10期32-37,共6页
格芯GLOBALFOUNDRIES 22FDX~(22nm FDSOI)工艺是一个差异化的工艺,它能有Fin FET工艺那样的性能,也能有28nm工艺设计技术上的简单和成本优势。这个工艺所具有的后栅偏压可调(back-gate bias)的功能及其优化功耗、性能和面积(Power,Per... 格芯GLOBALFOUNDRIES 22FDX~(22nm FDSOI)工艺是一个差异化的工艺,它能有Fin FET工艺那样的性能,也能有28nm工艺设计技术上的简单和成本优势。这个工艺所具有的后栅偏压可调(back-gate bias)的功能及其优化功耗、性能和面积(Power,Performance and Area,PPA)的特性能提供巨大的机会,能在广阔的应用市场去设计目前已经存在的并差异化的产品。在这篇论文中,我们会讨论到利用这种工艺特征以及电路设计和工艺技术的相互优化,从而设计出基于22FDX~工艺最好的IP,设计方法和验收标准。并且分析在模拟电路以及混合信号电路设计中相对于常规技术,利用后栅偏压可调功能的优化PPA差异性技术。我们探索和设计了三个不同电路,包括运算跨导放大器(Operational Transconductance Amplifier,OTA)、比较器(Compactor)、数控振荡器(Digitally Controlled Oscillator,DCO)。 展开更多
关键词 后栅偏压可调 跨导放大器 比较器 数控振荡器 物联网
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重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究 被引量:2
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作者 于庆奎 曹爽 +8 位作者 张琛睿 孙毅 梅博 王乾元 王贺 魏志超 张洪伟 张腾 柏松 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2254-2263,共10页
针对空间应用,开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26~118 MeV·cm^(2)/mg之间,辐照中被试器件加50~600 V静态漏源偏置电压、栅源短接,实时测量电特性,进行辐照... 针对空间应用,开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26~118 MeV·cm^(2)/mg之间,辐照中被试器件加50~600 V静态漏源偏置电压、栅源短接,实时测量电特性,进行辐照后栅应力(PIGS)测试。试验结果发现,50~100 V偏置电压下,离子引起瞬态电流,PIGS测试栅失效。分析认为离子引起栅氧化物潜在损伤,PIGS测试过程中,潜在损伤进一步退化导致栅失效。氧化物潜在损伤不仅与辐照偏置电压有关,还与入射离子LET和注量有关。PIGS测试需要的栅应力时间与潜在损伤程度有关,可超过300 s。并给出了电荷累积损伤模型。模型进行SiC MOSFET单粒子效应评估时,应考虑离子引起栅氧化物潜在损伤的影响,需根据轨道和任务周期确定试验离子注量,根据应用情况确定辐照偏置电压,并评估确定PIGS测试栅应力时间。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 辐射效应 单粒子效应 单粒子烧毁 单粒子穿 潜在损伤 辐照后栅应力
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一种电子束自会聚型后栅场发射显示器的研究 被引量:1
11
作者 吴朝兴 张永爱 +2 位作者 张杰 李昱 郭太良 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期3574-3579,共6页
提出一种具有凹面阴极结构的电子束自会聚型后栅场发射显示器(FED)。利用Ansys软件模拟此器件的电场分布和电子束轨迹,研究凹面阴极不同曲率半径对阳极光斑尺寸的影响,并与平面阴极型后栅FED进行比较。仿真结果表明此器件可有效减小电... 提出一种具有凹面阴极结构的电子束自会聚型后栅场发射显示器(FED)。利用Ansys软件模拟此器件的电场分布和电子束轨迹,研究凹面阴极不同曲率半径对阳极光斑尺寸的影响,并与平面阴极型后栅FED进行比较。仿真结果表明此器件可有效减小电子束的发散角和阳极光斑尺寸,阳极光斑尺寸随着凹面阴极曲率半径的减小而减小,同时可获得更高的电流密度。利用丝网印刷技术制备10cm×10cm的电子束自会聚型后栅FED,对其场发射性能进行测试。结果表明此器件可有效减小阳极光斑尺寸,提高显示器的分辨率;阳极电压为600V,栅极电压在100~250V范围内对电子发射有良好的调控作用。 展开更多
关键词 光电子学 场致发射 自会聚 计算机模拟 后栅结构
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薄膜后栅型SnO_2场发射显示器的制备及性能研究 被引量:1
12
作者 张永爱 林金阳 +1 位作者 吴朝兴 郭太良 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期239-244,共6页
利用光刻、阳极氧化和剥离技术在玻璃基底制备薄膜后栅型场发射阵列,采用丝网印刷技术将一维SnO2纳米发射材料转移至后栅结构的阴极电极上,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜后栅型场发射阴极阵列,利用ANSYS软件模拟了不同条件下阴极电... 利用光刻、阳极氧化和剥离技术在玻璃基底制备薄膜后栅型场发射阵列,采用丝网印刷技术将一维SnO2纳米发射材料转移至后栅结构的阴极电极上,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜后栅型场发射阴极阵列,利用ANSYS软件模拟了不同条件下阴极电极附近电子运动轨迹。结果表明,一维SnO2纳米线在阴极电极衬底上分布均匀,电子束斑随着阳压的增大而逐渐减小,随栅压的增加而变大。将阴极板与阳极荧光板制成了5 inch(1 inch=25.4 mm)单色薄膜后栅型结构场致发射显示器并对其进行了场发射性能测试。实验表明,在栅压和阳压分别为140 V和2000 V,阴极和阳极的距离为1100μm时,薄膜后栅型SnO2场致发射显示器能实现全屏点亮,其器件的最大阳极电流为232μA,峰值亮度为270 cd/m2,稳定发射400 min,发射电流无明显衰减,表明器件场发射性能良好,具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 光电子学 SNO2 薄膜后栅 场发射 模拟 丝网印刷
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用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术 被引量:2
13
作者 陈广璐 唐波 +5 位作者 唐兆云 李春龙 孟令款 贺晓彬 李俊峰 闫江 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第6期386-390,共5页
成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工... 成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题。此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题。这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件。 展开更多
关键词 电子束光刻(EBL) 电子束直写(EBDW) 邻近效应 混合光刻 纳米器件 后栅工艺
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一种新型的自对准源漏接触技术
14
作者 张琴 洪培真 +3 位作者 崔虎山 卢一泓 贾宬 钟汇才 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第5期328-332,共5页
提出了一种用于亚微米尺寸以下MOSFET器件的自对准源漏接触技术。这种新型的集成方法改变了传统的工艺步骤,即光刻接触孔,然后向里填充导电材料。在形成栅极、绝缘介质侧墙以及自对准金属硅化物以后,通过沉积金属膜层,并各向异性刻蚀以... 提出了一种用于亚微米尺寸以下MOSFET器件的自对准源漏接触技术。这种新型的集成方法改变了传统的工艺步骤,即光刻接触孔,然后向里填充导电材料。在形成栅极、绝缘介质侧墙以及自对准金属硅化物以后,通过沉积金属膜层,并各向异性刻蚀以在绝缘介质侧墙两旁形成一对金属的侧墙结构。这个侧墙连接底部的源漏区和上部的互联区,作为底层的金属接触引出。这个方法不仅减小了刻蚀接触孔的难度,且采用自对准的方法形成金属接触也减小了源漏接触的距离,提高了集成度。这项工艺集成技术尝试应用于0.5μm栅长MOSFET器件结构中,并仿真得到了良好的电学性能。 展开更多
关键词 自对准源漏接触 金属侧墙 集成度 亚微米 工艺 后栅工艺
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The Catastrophic Effects of African Americans' Marginalisation in Ralph Ellison's Invisible Man and August Wilson's Fences: A Comparative Study 被引量:1
15
作者 Reza Deedari Mahdis Faghih Nasiri 《Sino-US English Teaching》 2012年第11期1702-1710,共9页
This paper explores Du Boisian notion of double consciousness and the notion of black nihilism suggested by Cornel West in Ralph Ellison's Invisible Man (1952) and August Wilson's Fences (1986). In order to cond... This paper explores Du Boisian notion of double consciousness and the notion of black nihilism suggested by Cornel West in Ralph Ellison's Invisible Man (1952) and August Wilson's Fences (1986). In order to conduct this study, the researcher adopts African American approach and shows that double consciousness and black nihilism are the immediate effects of African Americans' marginalisation. According to W. E. B. Du Bois, all African Americans develop the sense of double consciousness which means being both African and American simultaneously. On the other hand, Cornel West believes that black Americans suffer from nihilism which means loss of hope and absence of meaning. The paper is an attempt to compare the novel Invisible Man and the play Fences thematically based on these two theories. It then looks to find the considerable similarities in the conditions of the protagonists of these two literary works. Although both protagonists migrate to the North to escape Southern racism in the era prior to the Civil Rights Movement, they become totally disillusioned, for they are treated as the invisible marginal. Interestingly though, at the end of both stories, there remains a ray of hope for reactivation and the creation of democracy for black Americans. 展开更多
关键词 MARGINALISATION double consciousness black nihilism buffer African heritage RACISM
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Advances in Optical Fiber Bragg Grating Sensor Technologies 被引量:5
16
作者 A. Ping ZHANG Shaorui GAO Guofeng YAN Yinbing BAI 《Photonic Sensors》 SCIE EI CAS 2012年第1期1-13,共13页
The authors review their recent advances in the development of optical fiber Bragg grating (FBG) sensor technologies. After a brief review of the fiber grating sensors, several newly developed FBG sensors are descri... The authors review their recent advances in the development of optical fiber Bragg grating (FBG) sensor technologies. After a brief review of the fiber grating sensors, several newly developed FBG sensors are described. With the continuous development of fiber materials, microstructures and post-processing technologies, FBG sensors are still creative after the first demonstration of permanent gratings thirty years ago. 展开更多
关键词 Fiber Bragg gratings optical fiber flowmeter refractive-index sensor optical fiber gas sensor
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