后烘对驻波效应的影响分析

研究了不同后烘情况下的PAC浓度分布和抗蚀剂的显影轮廓,结果表明适当的后烘可明显减小驻波缺陷,提高光刻质量,而过量的后烘将会导致抗蚀剂图形结构劣化。

减小光刻中驻波效应的新方法研究

光刻过程中 ,抗蚀剂内部光敏混合物 (PAC)浓度受光场的影响呈驻波分布 ,导致抗蚀剂显影后的侧壁轮廓成锯齿状。分析了后烘 (PEB)对PAC浓度分布的影响 ,模拟了不同后烘扩散长度下的抗蚀剂显影轮廓 ,从模拟结果可知利用后烘可明显减小驻波效应 ,得到平滑的抗蚀剂显影轮廓 ,提高光刻质量。

厚胶光刻中光敏化合物浓度空间分布研究

厚胶光刻过程是一个复杂的非线性过程,其光刻胶内光敏化合物(PAC)浓度空间分布是影响显影面形的主要因素。根据厚层胶光刻的特点,结合光化学反应机理,利用角谱理论,分析了在曝光过程中光刻胶内衍射光场和PAC浓度的空间分布随时间的动态变化,以及后烘(PEB)过程对PAC浓度空间分布的影响。该方法数值计算结果准确,且速度快。数值模拟表明,其内部衍射光场分布与PAC浓度分布是一个动态的、非线性的相互影响过程;后烘工艺可平滑PAC浓度空间分布;PAC浓度空间分布是影响浮雕面形边沿陡度的一个重要因素。

负性化学放大胶的光刻模型及模拟

在Ferguson的负性化学放大胶(CAR)后烘反应动力学模型基础上,增加了后烘过程中光致酸扩散模型,通过后烘模型的简化,得到了简化的后烘反应扩散动力学模型。将模拟图形与Ferguson的实验图形进行了比较,结果显示,简化的后烘反应扩散动力学模型比单纯的后烘反应动力学模型更准确,且程序运行占用的电脑资源更少。另外,通过不同曝光时间下的显影过程模拟,清晰地反映了光刻胶显影的过程,其结果与实际相符,对实际光刻工艺有较好的参考意义。

SU-8光刻胶加工工艺及应力梯度研究

文章采用牺牲层刻蚀技术加工SU-8胶MEMS微结构,BP212正性光刻胶作为牺牲层,SU-8胶作为结构层。制造出的SU-8胶微结构完整,表面无裂纹,牺牲层释放干净。通过测量释放后的SU-8胶悬臂梁曲率半径,计算其应力梯度,研究了后烘温度对SU-8胶薄膜应力梯度的影响。

一种实用的层燃锅炉燃烧自动控制系统

提出一种实用的层燃锅炉燃烧自动控制系统,突破传统的控制模型,并未采用烟气氧含量作为负反馈信号,而是采用后拱温度作为负反馈信号,由企业生产实践总结提炼而成,建立了一种新的层燃锅炉燃烧自动控制模型。特别适用于中小型链条锅炉的燃烧自动控制。

沉金板阻焊半塞孔冒油问题改良

为了降低沉金板阻焊半塞孔冒油比例,设计试验验证总结影响沉金板阻焊半塞孔冒油的影响因素:阻焊塞孔油墨更换、重氮片更换、显影参数调整及后烘参数优化等。通过试验逐一验证后输出控制措施从而达到改善沉金板阻焊半塞孔冒油问题。