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题名负性化学放大胶的光刻模型及模拟
被引量:1
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作者
卢伟
黄庆安
李伟华
周再发
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机构
东南大学MEMS教育部重点实验室
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期568-571,576,共5页
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基金
国家杰出青年科学基金资助课题(50325519)
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文摘
在Ferguson的负性化学放大胶(CAR)后烘反应动力学模型基础上,增加了后烘过程中光致酸扩散模型,通过后烘模型的简化,得到了简化的后烘反应扩散动力学模型。将模拟图形与Ferguson的实验图形进行了比较,结果显示,简化的后烘反应扩散动力学模型比单纯的后烘反应动力学模型更准确,且程序运行占用的电脑资源更少。另外,通过不同曝光时间下的显影过程模拟,清晰地反映了光刻胶显影的过程,其结果与实际相符,对实际光刻工艺有较好的参考意义。
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关键词
光刻模拟
负性化学放大胶
后烘模型
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Keywords
Lithography simulation, Negative chemically amplified resist, Post-exposure bake model
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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