芳香共聚酯B-N多种向列织构的形态研究

从一种聚芳酯B-N得到了丝状(包括细丝和粗丝)、纹影状和大理石纹状等与小分子向列液晶相似的多种织构。由于样品淬火后晶片装饰在织构上而不影响分子取向矢的分布,因而可以用化学刻蚀和电镜技术揭示其向错和取向矢图。电镜和光学显微镜的结果相互补充,表明了细丝和粗丝状织构的分子取向矢分布很不相同,是两种不同的织构,而粗化始于第二熔融降温。在这些向列织构中分别发现了S=±(1/2)和s=+1的向错的例子和平面内微区转向壁的证据。

共聚芳酯N-B向列织构的退火研究

液晶共聚芳酯B-N在不同温度下可制得细丝状、粗丝状、纹影状、大理石状和微滴状等各种向列织构.两种方法用于这些织构的研究,一种是化学刻蚀和扫描电镜观察,另一种是对织构的退火处理和偏光显微镜观察.两者都通过装饰在织构上的结晶的排列揭示了向错和分子指向矢分布的信息.观察到S=+1/2的线头、环状的线向错和Neel型畴壁.结果还表明,在液晶态温区的热处理能提高液晶的有序性和稳定性。