过氧化聚吡咯膜修饰微电极的制备及其电化学特性

用电聚合法在铂微盘电极上制备了聚吡咯（ＰＰｙ）膜，并将其在电解质水溶液中进行过氧化处理。所得到的过氧化膜是非电子导体而为离子导体，膜具有多孔性的特征。该膜具有排拆阴离子的作用，而对大阳离子如多巴胺具有高度的选择性。同时讨论了该膜对多巴胺选择响应的影响因素。

过氧化聚吡咯膜修饰电极色谱电化学用于帕金森试验动物的研究

研制了一种新型的过氧化聚吡咯膜修饰电极（ＯＰＰｙ／ＣＭＥ）作为液相色谱电化学检测器，该电极可以用来检测生物体内的单胺类神经递质及其代谢产物。用药物建立了帕金森动物试验模型，对不同情况下的试验动物脑内单胺类神经递质及其代谢产物通过微渗析取样和液相色谱电化学检测联用技术进行了测定。初步探讨了试验动物产生帕金森病的机理，为研制和筛选更有效的治疗帕金森病的新药提供了一种准确、可靠的分析手段。

过氧化聚吡咯膜修饰电极检测肾上腺素研究

报道了肾上腺素（EP）在过氧化聚吡咯膜（OPPy）修饰电极上的电化学行为及其测定方法。过氧化聚吡咯膜（OPPy）修饰电极对EP的氧化还原具有良好的催化作用，并具有较高的选择性。在最佳实验条件下，EP的还原峰电流与其浓度在2×10^-2-5×10^-4mol·L^-1范围内呈良好的线性关系，相关系数为0．9999，检出限为8×10^-8mol·L^-1将该电极应用于EP实际样品的测定，效果良好。

硅钼杂多酸-聚吡咯膜修饰电极的制备及其电化学性能的研究

用电化学方法将硅钼杂多酸催化剂固定在导电聚吡咯薄膜电极上 ,制得了具有表面功能的硅钼杂多酸掺杂的聚吡咯薄膜修饰电极 .实验发现在 0 .5 mol/L H2 SO4 或 0 .5 mol/L KCl介质中制得的硅钼杂多酸的聚吡咯薄膜修饰电极具有较好的稳定性和催化性能 ,用扫描电镜 (SEM)、SEM-能谱仪 (EDS)和 X射线光电子能谱 (XPS)

电化学法聚吡咯膜作锂二次电池正极的电池性能

以电化学法制备的聚吡咯膜作正极,组装锂/聚吡咯(PPy)二次电池。运用CHI650B电化学工作站和LAND电池测试系统对电池性能进行测试和表征。结果表明,当充放电电流为0.05 mA,正极片成型压力为10 MPa时,电池的放电比容量和库仑效率随循环次数增加而缓慢增大,经过60个循环后放电比容量达到36 mAh/g,库仑效率为100%。电池的循环伏安曲线存在明显的氧化还原峰,且峰电流很大,说明PPy正极材料的氧化还原可逆性很好。采用电化学阻抗谱分析了电池的内部作用机理,为进一步提高电池综合性能提供理论依据。

在水溶液中电化学反应制备大面积聚吡咯膜

以不锈钢为电极,在吡咯水溶液中,经电化学聚合制备了大面积的聚吡咯薄膜。研究了反应电流密度、反应温度、对阴离子种类和浓度等因素对成膜性能及电导率的影响。选择合适的反应条件,可得到电导率为120Scm^(-1)、抗拉强度46MPA、模量为1.75GPA的聚吡咯膜。

聚吡咯膜电化学包埋固定酶及其复合酶生物传感器

采用电化学包埋法成功地将乳酸脱氢酶固定化在聚吡咯膜上,获得了具有生物活性和电活性的聚吡咯乳酸脱氢酶导电膜,并进一步制备了用以测定丙酮酸的聚吡咯乳酸脱氢酶金电极生物传感器。同时尝试用电化学包埋法将乳酸脱氢酶和辅酶NADH同时固定化在聚吡咯膜上,获得了具有电化学活性的聚吡咯乳酸脱氢酶NADH 金复合酶电极。深入的实验证实了复合电极生物传感器具有线性的工作曲线。

导电聚吡咯膜技术应用于大鼠角朊细胞原代培养的实验研究

在大鼠角朊细胞原代培养的基础上 ,建立导电聚吡咯膜角朊细胞原代培养技术 ,并探讨了导电聚吡咯膜对角朊细胞体外生长作用的影响。实验结果显示 ,单纯聚吡咯膜或导电刺激对角朊细胞生长的作用和对照组相比没有显著性差异 ,而导电聚吡咯膜可以有效地促进角朊细胞的生长和增殖 ,且对不同种植密度、不同培养时间的大鼠角朊细胞的促生长作用也有显著性差别。在降低常规培养条件下所需要的细胞种植密度的同时 ,可以将角朊细胞生长融合培养时间缩短约

尿酸在过氧化聚吡咯膜修饰电极上的伏安行为

研究了尿酸在过氧化聚吡咯（OPPY）膜修饰电极上的伏安行为和渗透选择性，在酸性介质中，未离解的尿酸在该化学修饰电极上呈现出较强的渗透能力. 通过适当地阳极活化基础电极和过氧化处理聚吡咯膜，尿酸在该修饰电极上的电流响应灵敏度大幅度提高，该修饰电极对尿酸的伏安响应在4.0×10-7~8.0×10-5 mol/L浓度范围与其浓度呈线性关系，检测限为1.5×10-7 mol/L. 过量750倍的抗坏血酸不干扰尿酸的测定. 在没有任何前处理的条件下测定了人血清中的尿酸含量，其结果与光度法实验结果基本一致.

硝苯地平在聚吡咯膜修饰电极上的电化学行为及电位溶出分析

提出了在吡咯的聚合过程将硝苯地平掺杂富集进聚吡咯膜中 ,然后在合适的溶液中通过线性扫描将之溶出的分析方法。与空白聚吡咯修饰电极 (PPy-GCE)比较 ,在0.088mol/LH2O2-0.1mol/LH2SO4 底液中 ,以100mV/s的速率进行线性扫描时 ,硝苯地平有一灵敏的线性扫描溶出峰 ,峰电位在 -0.628V(vs.SCE)。峰电流与硝苯地平的浓度在1×10 -8～1×10 -4mol/L范围内有良好的线性关系 ,利用这一峰对硝苯地平片剂的含量进行了测试 。

变温拉曼光谱研究电化学合成聚吡咯膜

在含有四氟化硼四丁基铵的乙氰溶液中电化学氧化吡咯制得聚吡咯膜,并在-195到150℃温度范围内研究了该聚合物膜的变温拉曼光谱。在升温过程中,与氧化态相关的拉曼光谱谱带渐渐消失,这主要是由于空气中氧气和水分子的作用。在冷冻过程中,聚合物链从无规线团状态转变成棒状构象,从而增加了导电高分子的共轭链长。由于拉曼的共振效应,在冷冻过程中与氧化态链段相关的谱带得到了增强。

神经递质在聚吡咯膜中的掺入和释放

用循环伏安法比较了五种神经递质在聚吡咯膜内的掺入和释放过程,它们与聚吡咯膜结合的程度呈以下序列:天冬氨酸>5—羟色胺>谷氨酸>γ—氨基丁酸>甘氨酸。并用了一个电脉冲(1ms)制激含有天冬氨酸的聚吡咯膜,模拟了突触前膜对神经递质的释放过程,实现了在非生命体系中借助于信息分子的化学通讯。

金属基底上聚合吡咯膜的氢离子响应

在不同金属基底上采用电化学方法制得聚吡咯膜,经恒电位氧化处理得到对氢离子具有选择性响应的聚吡咯膜氢离子选择电极。电极对氢离子均呈Nernst响应,电极系数在48-57mV/pH不等。响应时间在80-360s之间。电极对氢离子的电位响应机理推测为与氢离子结合-分离平衡有关。

聚吡咯膜修饰电极的制备与应用

采用电化学方法制得聚吡咯(PPy)膜修饰电极,经不同的化学方法处理,此类电极对溴(Br-)离子具有选择性效应,分别研究了溴(Br-)离子的掺杂效应及电极的电化学行为.

季阳离子基团对聚吡咯膜伏安特性的影响

在含有相同阴离子与不同阳离子基团的电解质溶液中用电位阶跃技术制备了聚吡咯(PPy)膜,用循环伏安法于空白溶液中研究了膜的电化学行为。研究结果表明随着阳离子基团增大,制膜时消耗的电量减小,膜的氧化还原电流下降,阴极和阳极峰电位分别向更负和更正的方向移动。扫描电镜显示阳离子基团对PPy膜的沉积过程和形态结构产生了一定的影响。

导电聚吡咯膜技术应用于大鼠肺细胞原代培养的实验研究

目的 :探讨导电聚吡咯膜技术对大鼠肺Ⅱ型细胞体外生长的作用。方法 :采用四甲基偶氮唑盐比色法测定比较导电聚吡咯膜组和常规培养组大鼠肺Ⅱ型细胞的生长和增殖情况。结果 :培养 3～ 5d后两组OD值有显著差异 (P <0 .0 5 )。结论 :常规培养条件下的大鼠肺Ⅱ型细胞在体外生长时间约 2～ 3d ,导电聚吡咯膜可以将肺Ⅱ型细胞体外生长时间延长至 5d。

导电聚合物膜修饰电极的研究 Ⅲ.杂多酸掺杂聚吡咯膜电极的电子自旋共振(ESR)特性研究

本文通过对不同条件下的Co(W_2O_7)_6^(10-)和CuW_(12)O_(40)^(6-)掺杂聚吡膜ESR谱线的分析并以相同条件下NO_3^-掺杂聚吡咯膜作为参照,表明杂聚阴离子不仅起着中和电性的作用,而且与聚吡咯分子链相作用形成某种加合物,它影响聚吡咯的电结构,这种加合物在过正或过负的电位下均不稳定.首次发现在CuW_(12)O_(40)^(6-)掺杂的干态聚吡咯膜具有Dysonian线型,表明膜中其它电结构的存在.

电化学合成聚吡咯膜的电学性能与应用

聚吡咯（PPy）不仅具有优异的电性能和电化学性能,而且具有合成容易、价格低廉和环境友好等优势,被认为是一种具有广阔应用前景的电子导电高分子（ECP）材料.大量研究表明,PPy性能容易通过制备条件进行＂剪裁＂,在各种制备方法中,

聚吡咯膜对汞离子富集作用的研究

文章研究了聚吡咯膜对汞离子的配位富集作用,并用循环伏安法加以证实。在0.1～10mg·L-1的汞离子浓度范围内,汞离子浓度与还原电流成线性关系。该方法可用于废水中汞离子含量的检测。

网状聚吡咯膜的电化学合成及电化学性能测试

采用电化学方法在不锈钢网电极表面合成了网状聚吡咯膜.利用扫描电子显微镜(SEM)观察网状膜的表面形态,并用循环伏安和交流阻抗技术对其电化学性能进行分析,结果表明,该聚吡咯膜具有规则的网状结构和良好的电化学活性.