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用于SiP的电镀铜通孔填孔技术
被引量:
2
1
作者
丁志廉
《印制电路信息》
2007年第6期36-39,共4页
文章介绍了采用不含加速剂的直流电镀方案来实现通孔填孔技术,并提出通孔填孔的可能电化学机理。
关键词
系统封装
通孔填孔
强抑制
剂
含加速剂方案
无
加速
剂
方案
依赖电位吸附
依赖迁移吸附
下载PDF
职称材料
题名
用于SiP的电镀铜通孔填孔技术
被引量:
2
1
作者
丁志廉
出处
《印制电路信息》
2007年第6期36-39,共4页
文摘
文章介绍了采用不含加速剂的直流电镀方案来实现通孔填孔技术,并提出通孔填孔的可能电化学机理。
关键词
系统封装
通孔填孔
强抑制
剂
含加速剂方案
无
加速
剂
方案
依赖电位吸附
依赖迁移吸附
Keywords
system in package(SIP)
through hole filling
strong inhibitor
accelerator-containing formulas (ACF)
accelerator-free formulas(AFF)
potential-dependent adsorption(PDA)
convection-dependent adsorption (CDA)
分类号
TG44 [金属学及工艺—焊接]
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作者
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1
用于SiP的电镀铜通孔填孔技术
丁志廉
《印制电路信息》
2007
2
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