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用于SiP的电镀铜通孔填孔技术 被引量:2
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作者 丁志廉 《印制电路信息》 2007年第6期36-39,共4页
文章介绍了采用不含加速剂的直流电镀方案来实现通孔填孔技术,并提出通孔填孔的可能电化学机理。
关键词 系统封装 通孔填孔 强抑制 含加速剂方案 加速方案 依赖电位吸附 依赖迁移吸附
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