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含铌电容材料的制备及其性能 被引量:2
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作者 孙雅茹 张微微 李海全 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期221-228,共8页
以草酸铌铵和葡萄糖为原料,经水热反应在泡沫镍基底上负载了含Nb的电容材料。通过红外光谱仪(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等技术手段对制备的样品进行表征,比较不同条件下的含Nb电容材料的表面形貌,得出水热反应的最... 以草酸铌铵和葡萄糖为原料,经水热反应在泡沫镍基底上负载了含Nb的电容材料。通过红外光谱仪(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等技术手段对制备的样品进行表征,比较不同条件下的含Nb电容材料的表面形貌,得出水热反应的最佳工艺条件,并对样品的电化学性能进行了研究。结果表明,制备含Nb电容材料的最佳工艺条件是葡萄糖和草酸铌铵的摩尔比为7∶1,反应温度200℃,反应时间18 h,在此条件下,负载在泡沫镍上的含Nb氧化物的量为0.3707 g/cm2;当充放电电流密度为0.5 A/g时,含Nb电容材料的最大比电容能达到189.47 F/g,经过1000次循环后,其放电比电容的保持率仍保持在95%以上,是一种具有应用前景的超级电容器材料。 展开更多
关键词 泡沫镍 含铌电容材料 电流密度 电容
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