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含F栅介质的击穿特性研究
被引量:
2
1
作者
张国强
郭旗
+2 位作者
余学锋
任迪远
严荣良
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第10期784-787,共4页
本文研究了MOS结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中F离子的引入对击穿电压的影响.结果表明,击穿电压受热电子贯穿方向制约;栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系;一定量的F离子引入栅介质对击穿电压大小不...
本文研究了MOS结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中F离子的引入对击穿电压的影响.结果表明,击穿电压受热电子贯穿方向制约;栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系;一定量的F离子引入栅介质对击穿电压大小不造成多大影响.
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关键词
MOS
含f栅介质
击穿
可靠性
下载PDF
职称材料
题名
含F栅介质的击穿特性研究
被引量:
2
1
作者
张国强
郭旗
余学锋
任迪远
严荣良
机构
中国科学院新疆物理研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第10期784-787,共4页
文摘
本文研究了MOS结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中F离子的引入对击穿电压的影响.结果表明,击穿电压受热电子贯穿方向制约;栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系;一定量的F离子引入栅介质对击穿电压大小不造成多大影响.
关键词
MOS
含f栅介质
击穿
可靠性
Keywords
Electric breakdown
Gates (transistor)
分类号
TN386.106 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
含F栅介质的击穿特性研究
张国强
郭旗
余学锋
任迪远
严荣良
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
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