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含F栅介质的击穿特性研究 被引量：2
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作者 张国强 郭旗 +2 位作者 余学锋 任迪远 严荣良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期784-787,共4页
本文研究了ＭＯＳ结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中Ｆ离子的引入对击穿电压的影响．结果表明，击穿电压受热电子贯穿方向制约；栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系；一定量的Ｆ离子引入栅介质对击穿电压大小不... 本文研究了ＭＯＳ结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中Ｆ离子的引入对击穿电压的影响．结果表明，击穿电压受热电子贯穿方向制约；栅面积与击穿电压之间无明显依赖关系；一定量的Ｆ离子引入栅介质对击穿电压大小不造成多大影响． 展开更多
关键词 MOS 含f栅介质 击穿 可靠性
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