含Si-H键硅炔聚合物的陶瓷化及其多孔陶瓷材料的制备与性能

以含Si-H键硅炔聚合物为先驱体,采用先驱体转化法制备一种硅基陶瓷,研究含Si-H键硅炔聚合物的陶瓷化过程。并以此为基础,通过牺牲模板法制备多孔陶瓷材料。采用SEM、EDS、XRD、Raman等方法研究陶瓷化产物及其多孔陶瓷材料的性能。结果表明:陶瓷化温度从1 000℃升高至1 600℃,都具有较高的陶瓷化产率(>75%),无定形碳向石墨碳转化的程度不断增大。所制备的多孔陶瓷材料密度为0.29 g·cm^(-3),比表面积约为532.8 cm^(2)·g^(-1),孔径分布主要集中在4 nm左右。

新型含硅芳炔树脂及其复合材料的性能

报道了含硅芳炔树脂(PSA-V4)流变性能、固化性能以及浇注体和复合材料性能。结果显示PSA-V4树脂溶于大多数有机溶剂,具有良好的加工性能;分析表明PSA-V4浇注体具有优良的耐热性能、介电性能,其复合材料也具有好的机械性能。

耐氧化含碳硼烷乙烯基硅芳炔树脂的结构和性能

合成了二甲基亚硅基苯基碳硼烷(SP-CB),并通过硅氢加成反应将其接枝到硅芳炔树脂上,得到了一种新型的含碳硼烷乙烯基硅芳炔树脂(CB-g-PVSA)。通过核磁共振、红外、热分析等手段表征了其结构和性能。结果表明,合成的CB-g-PVSA具有良好的加工性能,其固化物具有优良的热氧化稳定性,在空气中失重5%时的热分解温度(Td5)为602℃,800℃下的质量保留率为92.6%。

聚(苯基硅烷-芳炔)树脂合成及耐高温结构形成机理

含硅芳炔树脂(PSAs)因其突出的耐热性能,在诸多领域具有应用价值。为满足高速发展的航空航天、电子信息技术的应用需求,耐高温树脂材料性能亟待提升。本研究以1,3-二乙炔基苯和苯基二氯硅烷为原料,通过格氏试剂法合成线型聚(苯基硅烷-芳炔)树脂(PPSA),对其交联固化形成耐高温结构的机理进行研究。采用差示扫描量热仪(DSC)与热重分析(TGA)对其热固化行为和热稳定性进行表征,采用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和裂解气质联用(Py-GC-MS)对PPSA树脂耐高温结构的形成机理进行研究。实验证明,PPSA树脂在热固化过程中通过环三聚反应、Diels-Alder反应和硅氢加成反应生成苯环、萘环和菲环等类芳环结构,赋予了PPSA固化物优异的耐高温性能,其热分解温度(T_(d5))为742-755℃,1000℃热解残留率大于92%。因此,PPSA对拓宽含硅芳炔的应用具有重要意义。

含硅氢键聚二硅氧烷/聚醚共混聚合物电解质 Ⅱ.PSEMH对PEO结晶性能及离子电导率的影响

通过Raman,DSC和XRD等方法对聚氯乙烯醚-侧链含一半硅氢键的羟基封端聚二硅氧烷-高氯酸锂(PEO-PSEMH-LiClO4)全固态共混聚合物电解质进行了研究,结果表明侧链含一半硅氢键的羟基封端聚二硅氧烷(PSEMH)能够显著地降低PEO-LiClO4电解质体系的PEO的结晶性和玻璃化转变温度,同时PSEMH分子的二硅醚链节中氧原子与Li+间具有配位作用,从而大幅提高x%PEO～y%PSEMH-LiClO4(本文中x%,y%分别为PEO和PSEMH占两种聚合物的质量分数)电解质在低温区的离子电导率.而当PSEMH交联硫化之后,虽然降低了PEO的结晶度和Tg,但是由于PSEMH的交联网络限制了聚合物链段的运动性,使得电解质的离子电导率在低温区高于100%PEO-LiClO4(约为12倍),而在高温区则低于100%PEO-LiClO4,充分证明了PSEMH对电解质的离子电导率具有显著的贡献作用.

国际有机硅化学研究的若干热点问题

综述了近几年国际有机硅化学研究中的若干热点问题,包括含硅不饱和键化合物、硅化合物在有机合成中的应用、有机硅化学反应中的催化问题、新型硅烷偶联剂、含硅聚合物及有机硅功能材料等,并对未来有机硅化学的研究热点进行了展望。