低启亮电压全溶液加工量子点发光器件

采用旋涂制备的纳米银(Silver nanoparticle,Ag NPs)作为阴极,制备了全溶液加工的红、绿、蓝量子点发光二极管(red,green,blue-quantum dots light-emitting diodes,R-,G-,B-QLEDs)。并针对溶液加工Ag NPs阴极器件启亮电压(Turn-on voltage,Vt)较蒸镀Ag阴极器件偏高的问题,采用了低真空与热退火组合工艺干燥Ag NPs阴极,实现了可以与真空蒸镀金属阴极比拟的Vt,R-,G-,B-QLEDs的Vt分别为1.9,2.6,3.2 V。实验结果表明,该阴极处理工艺可能为研制低Vt的全印刷显示发光器件提供新的工艺思路。

聚苯胺在聚合物发光二极管中的空穴传输作用

报道了聚苯胺中间氧化态(emeraldine base form PANI-EB)空穴传输层对以PPV衍生物(PTA-PPV,PTA-DMPPV和MEH-PPV)为发光层和Alq3为电子传输层构成的多层结构的发光二极管的影响。实验结果表明,在器件中PANI-EB空穴层的引入能有效地降低器件的启亮电压和提高器件的发光亮度,其影响程度依赖于PPV衍生物的结构。

组合空穴注入层在有机电致蓝光器件中的应用

采用HAT-CN/Cu Pc作为有机电致发光二极管(OLED)蓝光ADN器件的组合空穴注入层(HIL)。通过采用该组合HIL后,在保证器件电流效率不下降的情况下有效地降低器件的驱动电压。一方面,这是利用HAT-CN可以大幅提高Cu Pc薄膜的有序度,有效地降低Cu Pc HIL的电阻;另一方面是因为HAT-CN/Cu Pc可以实现空穴的有效注入。这两方面因素最终使得ADN蓝光器件的启亮电压降低至3.4 V,较采用Cu Pc HIL的ADN蓝光器件低0.5 V。

双空穴注入层对有机电致蓝光器件性能的改善

CuI/CuPc被采用作为有机电致蓝光CBP:BCzVBi器件的双空穴注入层。采用双空穴注入层后使得CBP:BCzVBi蓝光器件的启亮电压降低至3.4 V,较采用CuPc单空穴注入层的CBP:BCzVBi蓝光器件低0.4 V。在驱动电流20 mA/cm^2的情况下,与单空穴注入层器件相比,采用该双空穴注入层结构使得器件电流效率提升约19%,亮度增加约17%,驱动电压降低0.9 V。采用Fowler-Nordheim(F-N)隧穿注入理论对器件空穴注入电流的影响因素进行了分析,发现双空穴注入层形成的能级台阶可以有效地改善发光器件的空穴注入效率,进而起到改善器件发光电流效率和降低驱动电压的目的。

NPB层嵌入MgF_2超薄层对OLED性能的影响

将MgF2超薄层嵌入有机电致发光器件(OLED)的空穴传输层NPB中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列OLED。测试结果表明,合适厚度的MgF2可有效降低器件启亮电压,提高器件的发光效率。MgF2厚度为0.5nm的器件启亮电压只有2.3V,较未嵌入MgF2器件降低2V;MgF2厚度为1.0nm的器件最大电流效率达到3.93cd/A,最大光功率效率达到1.58lm/W,较未嵌入MgF2器件分别提高95%和110%。