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离子注入工艺简介
1
作者
蔡宁
张伯昌
《集成电路应用》
2002年第9期71-72,共2页
在过去的三十多年中,CMOS工艺的发展极大地推动了离子注入工艺的发展。反言之,离子注入工艺的不断成熟进一步改善了半导体产品的质量,尤其是CMOS产品的性能,当线宽进入亚微米后,离子注入在整个半导体生产中更成了不可或缺的一部分。
关键词
离子
注入
工艺
CMOS
工艺
半导体
产品质量
阈值电压调节
注入
工艺
吸取注入工艺
下载PDF
职称材料
题名
离子注入工艺简介
1
作者
蔡宁
张伯昌
机构
亚舍立半导体贸易(上海)有限公司
出处
《集成电路应用》
2002年第9期71-72,共2页
文摘
在过去的三十多年中,CMOS工艺的发展极大地推动了离子注入工艺的发展。反言之,离子注入工艺的不断成熟进一步改善了半导体产品的质量,尤其是CMOS产品的性能,当线宽进入亚微米后,离子注入在整个半导体生产中更成了不可或缺的一部分。
关键词
离子
注入
工艺
CMOS
工艺
半导体
产品质量
阈值电压调节
注入
工艺
吸取注入工艺
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
离子注入工艺简介
蔡宁
张伯昌
《集成电路应用》
2002
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