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SiO_2-Si界面实现Ga掺杂的研究
1
作者
裴素华
黄萍
程文雍
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期1797-1799,共3页
通过原子力显微镜(AFM)、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻(SRP)等方法对Ga在SiO2薄层、SiO2-Si界面的扩散特性进行测试表征与机理分析。其结果表明:源于H2和Ga2O3高温反应新生成的元素Ga,经SiO2薄层的快速吸收和输运,到达SiO2-Si的界面,...
通过原子力显微镜(AFM)、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻(SRP)等方法对Ga在SiO2薄层、SiO2-Si界面的扩散特性进行测试表征与机理分析。其结果表明:源于H2和Ga2O3高温反应新生成的元素Ga,经SiO2薄层的快速吸收和输运,到达SiO2-Si的界面,其吸收-输流量在确定的扩散条件下正比于掺杂时间;Ga在SiO2-Si界面按照固-固扩散原理和凭借在Si内有较高溶解度特性实现了Si体内有效扩散;上述两者的有机结合,使Ga原子通过理想表面扩入硅体,从而得到高均匀性、高重复性的扩散结果。
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关键词
GA
SIO2
SiO2-Si界面
吸收和输运
固-固扩散
下载PDF
职称材料
题名
SiO_2-Si界面实现Ga掺杂的研究
1
作者
裴素华
黄萍
程文雍
机构
山东师范大学
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期1797-1799,共3页
基金
国家自然科学基金(69976019)资助项目
文摘
通过原子力显微镜(AFM)、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻(SRP)等方法对Ga在SiO2薄层、SiO2-Si界面的扩散特性进行测试表征与机理分析。其结果表明:源于H2和Ga2O3高温反应新生成的元素Ga,经SiO2薄层的快速吸收和输运,到达SiO2-Si的界面,其吸收-输流量在确定的扩散条件下正比于掺杂时间;Ga在SiO2-Si界面按照固-固扩散原理和凭借在Si内有较高溶解度特性实现了Si体内有效扩散;上述两者的有机结合,使Ga原子通过理想表面扩入硅体,从而得到高均匀性、高重复性的扩散结果。
关键词
GA
SIO2
SiO2-Si界面
吸收和输运
固-固扩散
Keywords
Ga
SiO2
SiO2-Si interface
solid-solid diffuse
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiO_2-Si界面实现Ga掺杂的研究
裴素华
黄萍
程文雍
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
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职称材料
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