IGBT模块吸收电容选型方法

通过理论推导得出增加吸收电容后IGBT电压尖峰的表达式,分析吸收电容参数对尖峰电压的影响。通过仿真结果验证理论推导的正确性。

吸收电容对LED电源EMI的抑制实例分析

根据LED驱动电源的认证经验,其EMC测试项目中的电源端子骚扰电压和30~300 MHz辐射骚扰场强测试项目不容易合格,而且经过整改往往会增加电源成本。以一款单端反激式LED驱动电源为例,首先,介绍了单端反激式开关电源的工作原理;然后,探讨开关管MOSFET的漏极和源极并联小容量吸收电容后对驱动电源EMI的影响。通过对比测试结果发现,吸收电容的加入对原测试不合格的LED驱动电源起到了良好的EMI抑制作用,最终使得产品符合标准要求。此方法操作简单,成本低廉,为整改工程师提供参考。

尖峰吸收电容引起的故障

例1：一台乐华N25G6型彩电，指示灯亮，不开机。打开后盖，测行输出管Q402集电极对地电阻正常。该机用STR．-W6854组成开关电源。开机检测，＋B电压仅70V左右，检查次级各路负载对地电阻均正常。在翻转彩板检测过程中．用户说发现一处有小火花。于是仔细检查彩板，在开关电源处的C808焊点有微弱的火花。补焊C808．开机，指示灯闪烁后，开关电源＋B电压为130V。这时，光栅出现。接上天线。图声恢复正常。

CH88A型突波吸收电容器

本文介绍了新产品──ＣＨ８８Ａ型突波吸收电容器的性能参数、结构特点和试验情况。

基于电容吸收拓扑电路的新型磁阻线圈发射器

磁阻线圈发射器具有出口速度一致性好、可靠性高和能源清洁等优点。但是现有磁阻线圈发射器普遍效率较低,限制了其工程应用。为提高发射效率,提出一种基于电容吸收拓扑电路的新型磁阻线圈发射器方案。首先建立了传统二级磁阻式发射器的模型,采用有限元软件进行了仿真计算。结果显示,在电枢经过线圈中心后,驱动线圈中剩余电流产生的磁场会使电枢受到反向电枢拖拽力而减速。针对上述问题,提出一种新型的基于电容吸收拓扑电路的能量回收方案,分析了各阶段的放电特性。计算结果表明:与传统放电电路相比,新型放电电路可以使驱动线圈的剩余电流被电容器吸收实现快速衰减,电枢出口速度由21.46 m/s提高至26.19 m/s,效率由14.50%提高至21.59%。新型放电电路能够对电枢加速后的剩余能量进行回收,明显减小电枢拖拽力,提高了发射速度与能量回收效率。

高压直流输电系统吸收与并联电容换相换流器特性分析

为改善高压直流输电(HVDC)换相特性及调节无功分布,提出一种HVDC系统吸收与并联电容换相换流器(ASCCC)。首先给出其拓扑结构和数学模型,以及系统改善换相特性的工作原理;然后通过构建等效电路,研究并联电容分流特性,以及对比研究传统和新型换相换流器的无功特性,推导出其无功计算方法;最后以某±800kV特高压直流输电工程为例,搭建基于ASCCC的逆变站的Matlab仿真模型,同时进行原理样机实验。结果表明ASCCC不仅具有减少逆变器换相失败的优点,而且能够优化换流变压器乃至整个系统的运行状态。

尖峰吸收电容不良屡损CQ1265RT

故障现象：一台长虹PF29156彩电，在正常收看时突然三完，电源指示灯也不亮。

ZVS-PWM电路中无损吸收回路分析

详细研究了移相控制全桥零电压开关脉宽调制变换器(FB-ZVS-PW M )的换流过程。分析得出,若考虑开关管关断过程中的电流下降特性,则当开关管关断时,在无损吸收回路的作用下,电路关断换流过程会出现两个不同的换流阶段,并在此基础上推导出这两个不同阶段的换流方程。针对其滞后桥臂负载电感偏小给零电压导通造成的困难,文中放弃了负载电流为恒流源的假设,推导出描述其换流过程的方程。基于这些方程,研究了实现软开关的条件,并从关断损耗和占空比丢失的角度探讨了吸收电容与电路最高工作频率的关系,给出了工程设计公式。仿真和实验结果验证了该方程的正确性。

浅谈用吸收式波长表调整DF100A发射机的中和电容

本文阐述了DF100A发射机射末级工作原理、中和原理,本文浅谈如何使用吸收式波长表调整DF100A发射机的中和电容方法,,以供同行技术人员维护该类型设备时参考。

兆瓦级风电功率组件的IGBT吸收电路设计

介绍了一种兆瓦级风电功率组件吸收电路并进行了理论分析和计算,通过仿真和试验验证了吸收电容对过电压的抑制效果,以及合理选择并联电容器的数量可减少流过吸收电容器的纹波电流并改善其温升,进而提升了吸收电容器的使用可靠性。

一种用于GTO逆变器的吸收电路的分析

分析了一种GTO吸收电路的工作原理 ,并给出了电路参数设计的基本方法和计算公式 。

TCL 32L2F型液晶彩电三无故障维修

TCL32L2F型液晶彩电,使用中机内“啪”一声响后三无。拆机检查,发现该机采用TPP、T920L、PB772型三合一板。实测保险管FB1开路,开关管QB101的S、D极短路。尖峰电压吸收电容CB120(4700μF/2kV)表面已炸飞一块。更换上述损坏元件后试机,故障排除。

±1100kV特高压直流换流阀能量泄放过程及相关影响因素

换流阀是实现高压直流输电的核心设备,在闭锁检修过程中换流阀残留能量泄放时间直接影响着故障后恢复供电时间长短,对电网运行可靠性具有重要意义。根据换流站的实际结构,搭建单极直流输电系统EMTDC/PSCAD仿真模型,对换流阀中各关键元件的电场和磁场能量泄放过程进行了研究,并对换流站残余能量主要的影响因素进行分析。研究结果表明:晶闸管吸收电容储存的电场能是换流阀闭锁后阀厅残余能量主要来源,该部分能量衰减时间大于7s,主要泄放通道为直流出线接地开关和换流变阀侧接地开关;仅采用4把接地开关同样能够在3s内将换流阀电压降低至36V以下,这为下一步换流站接地开关配置方式的研究提供了技术支撑。

零电压转换PWMDC/DC变换器的研究

介绍了PWMDC/DC变换器的软开关控制。阐述了零电压转换PWMDC/DC变换器的缺点。研究了带吸收电容的零电压转换PWMDC/DC变换器电路。给出了仿真电路和仿真结果。

旋转整流元件在无刷励磁机设计中的应用

本文分析:无刷励磁机设计中旋转整流元件承受的离心加速度;二极管平均电流与发电机的强励电流、并联支路数及不平衡系数之间的关系;熔断器的分断电流与二极管额定电流有效值的关系;吸收电容与过电压的关系。提出了旋转整流元件参数的计算与选取方法。采用本文的设计理念,无刷励磁机的性能完全满足高起始响应和强励的要求。

大功率谐振过渡软开关技术变频器研究(2)

主电路的设计通常在设计的早期进行,一旦方案确定,不再轻易改变,因此设计时对各方面的问题应考虑周全,避免返工,造成时间和经费的浪费在主电路的设计中,通常需要综合考虑可靠性,成本,效率等多方面因素,甚至还有一些非技术性的因素,如结构设计等通过一个具体的电路。

基于PSpice的功率MOSFET电压尖峰防护的仿真分析

分析功率MOSFET用于汽车电子控制器中的高边驱动时,因汽车线束杂散电感的负面效应产生高电压尖峰的机理,采用PSpice软件对并联电容型防护电路的参数匹配进行仿真分析,并提出电路设计的原则和方法。

大型复合母排多端口电路仿真模型研究

针对阻感负载模型不能精确反映出吸收电容等缓冲器件对复合母排特性影响的问题,提出了复合母排多端口参数矩阵的建模方法。利用该复合母排多端口电路仿真模型,对并联器件的电流不均度以及吸收电容容值对功率器件过电压性能的影响进行了分析,仿真结果可指导复合母排优化设计及吸收电容的选型。通过对逆变器系统的仿真和试验,对比了中点电流的频谱,验证了复合母排多端口电路仿真模型的有效性。