影响硅片倒角加工效率的工艺研究

本文通过分析倒角边缘磨削原理,利用不同尺寸的晶圆,不同的倒角吸盘转速,不同甩干程序对晶片进行倒角程序加工并统计其加工时间,进而分析不同加工条件对倒角边缘磨削加工效率的影响,从而进行最大的改善、优化和提升。

SiC晶片倒角技术研究

讨论了碳化硅晶片的倒角工艺,主要包括晶片边缘倒角的基本原理,晶片倒角的目的以及晶片边缘粗糙度的影响。采用500#磨料粒度的砂轮对碳化硅晶片进行边缘研磨,分析讨论了切入量、砂轮转速、吸盘转速等参数的影响。切入量、吸盘转速越大,晶片边缘质量越差,崩边数也越多,砂轮转速越大,晶片质量越好。通过实验数据,我们还当选用500#的砂轮时,切入量在100μm左右、砂轮转速在2 500 m/min左右、吸盘转速在6 mm/s左右较为合适。

改善200 mm晶圆边缘加工产能的工艺研究

本文根据硅片边缘磨削原理,从吸盘转速、倒角轮转速、边抛效率等方面对200 mm硅片进行分析研究,进而得出不同的加工工艺条件对硅片边缘质量及加工产能的影响,从而达到提升加工产能的目的。