多孔硅对硅中缺陷的吸除效应

研究了在硅片背面采用阳极化方法形成的多孔硅层对硅片中浅底蚀坑和氧化层错的吸除效应．结果表明，该多孔硅层对硅中的缺陷形成有明显的吸除作用．采用ＸＴＥＭ分析了多孔硅和衬底硅之间的界面特性，发现在界面处存在一个“树枝”状无序结构的过渡区。

重掺硅衬底片的内吸除效应

本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应。发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同。且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散。在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽。

中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应

中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。

HgCdTe晶体的缺陷吸除效应

利用二次离子质谱测量HgCdTe晶体杂质时发现:杂质在晶片表面附近有富集现象,实验证明该现象属缺陷吸除效应,分析了杂质富集的机理,并利用缺陷吸除工艺成功地减少了HgCdTe晶体内剩余杂质,低温电学参数、光学透过率测量结果表明:该工艺能提高HeCdTe材料的光、电性能。

中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究 .结果表明 :经中子辐照后 ,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区 .清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所控制 ,清洁区一旦形成 ,就不随退火时间变化 .大量的缺陷在中子辐照时产生 ,并同硅中氧相互作用 ,加速了硅片体内氧的沉淀 ,是快速形成本征吸除效果的主要因素 。