期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
喇曼型无引导场自由电子激光实验的理论计算
1
作者 王泰春 姚军 束小建 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1990年第2期168-178,共11页
用三维程序CAGⅡ对西南应用电子学研究所在EPA-74脉冲加速器上所作的FEL(自由电子激光)实验进行了数值模拟,分析计算了输入功率、摇摆器磁场振幅、自发辐射频率、电子能量、束流强度和发射度等参数变化时对饱和位置、饱和功率和效率的... 用三维程序CAGⅡ对西南应用电子学研究所在EPA-74脉冲加速器上所作的FEL(自由电子激光)实验进行了数值模拟,分析计算了输入功率、摇摆器磁场振幅、自发辐射频率、电子能量、束流强度和发射度等参数变化时对饱和位置、饱和功率和效率的影响。在对实验参数中的电子能量作合理调整的条件下,数值模拟的增益系数大约为70dB/m,是实验值的80%。因此饱和位置比实验推后20%到40%。饱和功率高出大约3倍。经折算后大约为1MW,与实验结果比较接近。考虑到实验的复杂情况可认为理论结果同实验结果基本符合。 展开更多
关键词 喇曼型 电子 激光 圆柱 波导 自由
下载PDF
喇曼型无引导场自由电子激光实验 被引量:6
2
作者 胡克松 黄孙仁 +6 位作者 陈裕涛 付淑珍 王平山 刘锡三 邓朝辉 赵维晋 陶祖聪 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1990年第2期158-167,共10页
EPA-74脉冲线加速器二极管改用凹面聚焦阴极产生束流,从有栅网阳极孔引出后,通过磁透镜将束流注进长1.5m,周期长3.45cm的双绕螺旋摇摆器中,摇摆器磁场为1.25kGs时,进入摇摆器均匀区的束流为280A,传输到均匀区末端束流130A。实验得到130d... EPA-74脉冲线加速器二极管改用凹面聚焦阴极产生束流,从有栅网阳极孔引出后,通过磁透镜将束流注进长1.5m,周期长3.45cm的双绕螺旋摇摆器中,摇摆器磁场为1.25kGs时,进入摇摆器均匀区的束流为280A,传输到均匀区末端束流130A。实验得到130dB/m的增长率和辐射输出饱和现象,饱和功率7.6MW,效率5%。由波导色散线和微波量热计分别测得辐射频率为37GHz和辐射能量48mJ。辐射波模为TE_(11)圆波模。 展开更多
关键词 喇曼型 电子 激光 束流 摇摆器
下载PDF
渐变Wiggler技术在低能电子束喇曼型自由电子激光器中的应用
3
作者 赵东焕 王建 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期22-26,共5页
本文利用有质动力势导出了自由电子激光器效率提取表达式,分析了渐变Wlggler技术对提高激光器效率的作用,并利用这一技术进行了渐变Wiggler场强自由电子激光器实验。结果表明其效率是相应恒定Wiggler自由电子激光器的2.6倍。
关键词 自由电子 激光器 电子束 喇曼型
原文传递
Temperature-Dependent Raman Scattering of Phonon Modes and Defect Modes in GaN and p-Type GaN Films
4
作者 王瑞敏 陈光德 +1 位作者 Lin J Y Jang H X 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期635-640,共6页
Raman spectra of undoped GaN and Mg-doped GaN films grown by metal-organic chemical-vapor deposition on sapphire are investigated between 78 and 573K.A peak at 247cm -1 is observed in both Raman spectra of GaN and Mg-... Raman spectra of undoped GaN and Mg-doped GaN films grown by metal-organic chemical-vapor deposition on sapphire are investigated between 78 and 573K.A peak at 247cm -1 is observed in both Raman spectra of GaN and Mg-doped GaN.It is suggested that the defect-induced scattering is origin of the mode.The electronic Raman scattering mechanism and Mg-related local vibrational mode are excluded.Furthermore,the differences of E_2 and A_1(LO) modes in two samples are also discussed.The stress relaxation is observed in Mg-doped GaN. 展开更多
关键词 GAN p-type GaN Raman scattering defect modes
下载PDF
The Exact Solution of MJilburn Equation Without Diffusion Approximation for the Two—Model Raman Coupled Model
5
作者 XUJing-Bo ZOUXu-Bo 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2002年第6期733-738,共6页
By making use of the dynamical algebraic approach, we study the two-mode Raman coupled model governed by the Milburn equation and find the exact solution of the Milburn equation without diffusion approximation. The ex... By making use of the dynamical algebraic approach, we study the two-mode Raman coupled model governed by the Milburn equation and find the exact solution of the Milburn equation without diffusion approximation. The exact solution is then used to discuss the influence of intrinsic decoherence on the revivals of atomic inversion, oscillation of the photon number distribution and squeezing of radiation field in the whole ranges of the decoherence parameter . 展开更多
关键词 atom-field interaction intrinsic decoherence
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部