有机/聚合物电致发光器件中层间的能带匹配对器件发光性质的影响

对几种有机／聚合物电致发光材料的能带结构进行了表征，设计了几种结构的器件，并对它们进行了性质比较．结果表明，通过各种材料间合理的能带匹配，可以获得综合性能较好的电致发光器件．

用四端子器件实现的一种新型直接序列扩频匹配滤波器

提出了用四端子器件实现一种新型结构的直接序列扩频匹配滤波器,根据四端子器件的特点,从结构上分析了新型匹配滤波器结构相对于传统的数字匹配滤波器结构的优越性所在,它既保留了传统数字匹配滤波器的低功耗等特点,同时又具有结构简单的特点,大大减少了器件数目,HSPICE的模拟结果及测试芯片的实验结果验证了系统结构设计的可行性。

声表面波器件输入及输出负载阻抗匹配研究

针对声表面波器件测量中网络分析仪的负载阻抗与射频传输线特性阻抗不匹配,导致传输线上反射波幅值较大的问题,提出一种减少传输线上反射波的负载阻抗匹配系统与方案。负载阻抗匹配方案针对声表面波器件测量中输入与输出端分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络,使输入输出端都处于匹配状态。负载阻抗匹配系统集成了未匹配通道与匹配通道,根据负载阻抗不同调整匹配参数。对一个中心频率为101.764 MHz,带宽为30 MHz的声表面波器件使用该匹配方案前后中心频率处的衰减进行测量对比,实验结果表明采用该匹配方案后在中心频率点处输入及输出反射损耗分别为-49.36 dB和-38.13 dB,比未采用匹配方案时分别减少了44.99 dB和29.44 dB。

逐次逼近ADC无源器件的匹配性与高层次模型

对逐次逼近A/D转换器的无源器件匹配性进行了研究.基于理论分析,明确了电荷再分配结构、电压等比例缩放结构以及混合结构等几种典型逐次逼近A/D转换器对无源器件网络匹配性的具体要求,并利用Matlab工具,通过建立逐次逼近A/D转换器无源器件匹配性高层次模型对理论分析结果进行了验证.在此基础上提出了一种基于单位电容缩放的新型电荷再分配结构,在不提高无源器件匹配性要求的前提下,利用单位电容取代原有缩放电容并增加一定的时序控制,有效地解决了传统电容缩放结构中缩放电容工艺实现困难以及对寄生电容敏感的问题,适合片上系统的嵌入式应用.

内匹配型Ku波段8W功率器件

已成功研制出总栅宽为6.4 mm,栅长为0.35μm的GaAs功率PHEMT,其中对器件结构、栅挖槽等工艺进行了改进.两管芯合成的内匹配器件当Vds=8 V,输入功率Pin=32 dBm时,在f=14.0-14.5 GHz频段内,输出功率Po≥39.18dBm,功率增益Gp〉7 dB,功率附加效率[PAE]〉30%,两管芯合成效率大于88%,其中在14.1 GHz频率点,输出功率达到39.43 dBm,增益7.43 dB.

模拟电路设计中匹配器件组版图自动生成技术

目前,大多数模拟版图设计者采用人工方式分析电路图、查找匹配器件组,从而进行手工布局.在大规模集成电路设计中,为了缩短集成电路的设计周期,降低成本,利用C++语言算法开发一款模拟集成电路版图布局自动化的工具.针对模拟电路中匹配器件组的匹配模式不同,根据每种匹配模式的特点编写了相应匹配器件组自动布局的算法,缩短版图的布局时间,从而缩短了设计周期,降低设计成本.通过对每种匹配模式的模拟测试及结果分析,验证了该算法的可行性和有效性.

Altera器件设计中的时间匹配问题的研究

对Altera器件设计中的时间匹配问题进行了讨论。首先介绍了什么是组合电路中的毛刺问题及它是怎样产生的,然后从软件和硬件的角度说明了怎样来解决毛刺的问题。另一方面叙述了行波时钟转换成同步设计的方法。认为只要有可能,就应当使用同步设计。

13.7～14.5GHz内匹配型GaAs大功率器件

经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7~14.5GHz频段内,输出功率Po〉42dBm（15.8W）,功率增益Gp〉7dB,功率附加效率PAE〉35%,两管芯合成效率大于90%,其中在14.3GHz频率点,输出功率达到42.54dBm（17.9W）,增益7.54dB.

Aether原理图驱动版图工具Device Matching功能的原理与实现

本文针对Aether原理图驱动版图工具中的器件匹配功能的原理与机制予以论述。本文首先探讨当前深亚微米工艺下进行器件失配的由来;其次描述了器件匹配的原理;最后针对设计工艺中不同的器件类型晶体管(MOS)、电阻(Resistor)等进行匹配实现,并基于Aether原理图驱动版图工具给出该功能实现的实际效果图,提出了产品化过程中注意到一些问题。市场实践表明,该功能在版图设计过程中能够帮助版图工程师快速完成匹配器件的版图生成,从而极大提高了版图工程师的设计效率。

2~4GHz连续波120W GaN内匹配功率器件

基于自主研制的0.25μm高压大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),采用LC低通谐振匹配技术和宽带功率合成技术,利用大栅宽HEMT有源模型以及键合线、电容和管壳等无源模型进行一体化仿真,匹配电路采用LC匹配网络和λ/4微带线将HEMT阻抗提高至50Ω,最终实现了连续波120 W宽带GaN功率器件。测试结果表明,该器件在36 V漏极工作电压和-2.0 V栅极工作电压下,2~4 GHz频带内连续波输出功率大于120 W,功率附加效率大于46%,功率增益大于9.5 dB,二次谐波抑制度大于20 dBc,杂波抑制度大于70 dBc。

新型换能器件设计与应用

换能元是火工品序列中一种特殊的能量转换元件,在机械、电、光等能量的刺激下,引发火工含能材料作用实现点火、起爆和作功。近年来,换能元的输出性能增强、安全性能加固、匹配性能优化、测试技术提升,极大促进了火工换能技术更新发展。随着应用需求的扩展和换能元技术的进步,新型换能元器件技术正向钝感化、含能化、微尺度、信息化、芯片化等方向发展:并在复杂环境对火工品性能干扰、信息化智能控制应用等问题面前,显现出基础推动作用。

元器件及焊盘镀层与Sn63Pb37焊料的匹配性分析

航天、武器装备产品中PCB焊盘镀层与元器件镀层呈多样化趋势,带来了不同镀层与Sn63Pb37焊料匹配性问题。从微观组织角度分析了常用元器件镀层、PCB焊盘镀层与Sn63Pb37焊料的焊接匹配性。结果表明:Ag镀层器件在再流焊过程中,因界面IMC Ag_3Sn的生长和基体镀层消耗较快,需严格控制焊接温度及时间,且应使用Sn-Pb-Ag焊料焊接;薄Au镀层元器件在再流焊后,界面处未形成AuSn_4化合物,"金脆"现象应在焊点时效过程中体现;Ni/Sn-Pb、Cu/Sn镀层元器件在PCB的Cu镀Sn-Pb、Cu镀Ni/Au焊盘上与Sn63Pb37匹配性良好;Sn63Pb37焊膏与无铅BGA混装焊接时,两种焊料可充分混合,形成焊点具有良好的可靠性。

14.5～15GHz 11W内匹配功率器件

介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2 mm的大功率管芯。采用频带较宽的微带渐变传输线和T型网络共同组成栅极和漏极的匹配电路,并对封装管壳进行优化,有效提高了器件的微波特性。在带内频率14.5～15 GHz、漏源电压Vds为8 V时,器件输出功率大于40.4 dBm(11 W),线性功率增益为7 dB,功率附加效率大于23%。

模式匹配法在波导无源器件设计中的应用与研究

本文主要研究了模式匹配法在波导无源器件设计分析中的应用,以分支波导和H面膜片为例,对其特性和散射矩阵的级联进行了详细的理论分析,并给出几种复杂波导无源器件的设计实例。

PbMoO_4声光器件外部阻抗匹配网络的设计

在PbMoO4声光器件的换能器与电源之间插入阻抗匹配网络,对换能器的声能传输损耗有一定的补偿作用。给出了阻抗匹配后换能器损耗的计算公式、匹配电路结构和元件值、能量损耗与频率的关系曲线图,得出合适的阻抗匹配网络可使得PbMoO4声光器件换能器的声能传输损耗降低,3 dB频带宽度增大的结论。利用阻抗匹配网络的这一优点,优化设计了PbMoO4声光器件换能器的结构。

分层提取匹配印刷电路板元器件缺陷检测

文中提出了一种基于数学形态学与种子填充相结合的分层提取匹配算法,检测印刷电路板(PCB)中的贴片电阻和电容丢失与立碑、集成电路(IC)芯片丢失与极性错误等缺陷。算法分为PCB图像预处理、分层提取、模板分类匹配3部分。算法的关键在于消除无关信息干扰并通过种子填充算法对各类元器件进行分层提取,然后将不同元器件分别进行基于单链表的模板分类匹配。本算法在检测长度为19 cm、宽度为13.5 cm的PCB样本时,在确保精度为0.1 mm以上的情况下最快检测速度可以达到2 s/块。

一种基于模糊匹配的元器件分类方法

近年,随着航空电子元器件技术迅猛发展,给航空武器装备元器件技术管理带来严重挑战。在元器件管理过程中使用传统人工核对的方法已很难解决数十万条数量级的元器件分类问题。基于此,提出了一种基于模糊匹配的分类方法,旨在解决大数据量下元器件类别快速识别、判定及优化过程中效率问题及准确率问题,并在其基础上针对数据量过大导致的内存溢出问题提出了优化方法。

浅谈CMOS模拟集成电路版图设计的器件匹配方法

基于模拟集成电路版图设计中的器件不匹配问题,对版图设计中的器件匹配的方法、技巧以及需要注意的问题进行总结,并结合一个运放的版图设计实例详细阐述了版图设计的基本器件匹配方法与技巧。