基于器件参数的五冗余捷联惯组配置方法

针对低成本冗余捷联惯组导航精度无法进一步提升的问题,提出一种基于器件参数确定五冗余惯组各轴向仪表的安装角度的方法,并对五冗余惯组冗余轴器件配置要求进行了分析。该方法通过加权最小二乘估计,基于各轴器件参数确定数据融合时使用的加权矩阵,并以此为基础确定器件最优安装角度,使捷联惯组的导航精度达到最优。仿真结果表明,在器件参数确定时,经该方法得出的配置方案,20 min静态仿真相比三轴导航位置误差减小10.89%,加入合适的加权矩阵后,相比未加入加权矩阵导航位置误差减小9.5%,相比三轴导航位置误差减小19.35%。该方案在不改变惯组总成本的情况下提升了惯组的导航性能。

中波广播天调网络元器件参数精算与选取

中波广播因其覆盖范围广,接收端设备简易等特点而被广泛应用,在中波发射系统中,天调匹配网络最重要、最根本的作用就是要使馈线端与发射天线之间实现阻抗匹配,只有阻抗匹配,高频功率才能最大程度不失真的传送到天线,并最高效率的将能量发射到覆盖空间,其次,良好的匹配网络也能保证中波发射机和整个中波发射系统运行安全和稳定。但如果天调网络元器件的选取不合适,可能会造成元器件击穿、发热发烫,影响元器件性能和安全播出,甚至发生火灾等安全事故,文章将介绍天调网络元器件参数精算方法和一些选取规则,作者还将按照本台在用天调网络进行实例计算,以供相关人员在计算与选取过程中参考。

器件参数提取和全域寻优

本文用全域寻优算法探索了器件参数提取,因为软件方法比用硬件方法有利,所以偏重于软件。文中以CaAs MESFET器件参数提取为例,验证了全域寻优算法,同时也解决了器件参数提取中解的唯一性问题。

太阳电池器件参数提取的一种简单方法

为了较为简洁高效准确地获得串联电阻R_s、并联电阻R_(sh)、品质因子m、反向饱和电流J_0和光生电流J_(ph)等器件参数,提出一种利用太阳电池伏安特性曲线(J-V曲线)提取这些器件参数的简单方法。利用实验制备的几组铜铟镓硒(CIGS)太阳电池的J-V曲线数据进行实例器件参数提取,并验证该方法具有的较高的准确性。此外,还将这几组铜铟镓硒太阳电池和国外高效率铜铟镓硒太阳电池进行对比,发现电池之间效率相差较大的原因。

Δ源逆变器的小信号建模与无源器件参数影响分析

Δ型电抗源逆变器把耦合电感网络引入Z源逆变器,不仅保留了传统Z源逆变器的优势,在实现更高电压增益、减少开关管电压应力等方面也具有更加优良的性能,更适合应用于大功率及新能源并网系统中。论文详细介绍其工作原理,利用小信号建模法对电路进行了建模,借助软件仿真研究了电路无源器件对系统性能的影响,进而给出了相关器件参数选择的依据。实验结果表明,理论分析结果是准确的和可信的。

安捷伦率先推出适用于功率电路设计的功率器件分析仪仪器表征全部功率器件参数——Ron、漏电流、Ciss、Coss、Crss和栅极电荷

近日，安捷伦科技公司（NYSE：A）日前宣布推出业界首款适用于电路设计的功率器件分析仪AgilentB1506A。B1506A能够在不同工作条件和-50℃～＋250℃温度范围内对功率器件参数进行全面自动表征，覆盖高达1500A和3kV的电流和电压范围。

大功率器件参数分析解决方案

古时利将晶体管图示仪的量程和简化性与参数分析仪的精度和灵活性结合起来，针对大功率器件的参数曲线分析应用推出7种解决方案，这7种配置包括：最新版本的吉时利ACS（自动化特性分析会件）基本皈软件，它支持吉时利最新源表（SMU），并发挥2600B系列TSPLink技术的最大优势，在仪器之间实现500ns的触发同步。

器件参数对单管共射放大电路动态范围的影响

最大输出幅度是放大电路的主要技术指标之一,它的大小由电路参数决定。本文以几个典型的放大电路为例,深入探讨了使放大电路输出幅度达到最大的条件、器件参数间应该满足的关系。实验结果与理论值基本一致,这表明本文理论分析是正确的,它可以作为设计低频放大电路的参考。

旋转波片法偏振检测装置器件参数校准

波片相位延迟量误差、快轴角度误差和检偏器透光轴角度误差是影响基于旋转波片法的偏振检测装置测量精度的主要因素。通过对波片和检偏器参数进行校准,可有效提高检测装置测量精度。针对现有校准方法操作复杂的不足,提出一种偏振检测装置器件参数校准新方法。该方法以水平线偏振光[1,1,0,0]T作为标准参考光,分别在检偏器方位角为0°和45°时,对标准参考光各进行一次测量,计算得出器件参数误差,从而实现偏振检测装置器件参数校准。实验结果表明,通过器件参数校准,偏振检测装置测量误差由原来的3%降低至0.87%以内。

硒化镉晶体光参量振荡器件制备参数研究

研究了红外非线性光学晶体硒化镉的光参量振荡器光学参数.根据非线性光学原理和折射率色散关系,报道了CdSe晶体在不同泵浦光波长(1.833、2.87和2.1646μm)下CdSe光参量振荡器的角度调谐曲线,由此确定出信号光、闲频光以及相位匹配角的变化范围;并对CdSe晶体的走离角,有效长度以及相位匹配允许角等参数进行研究.以上研究结果,对CdSe光参量振荡(OPO)器件制备加工精度提供了重要的技术参数.

由自动采集的器件参数直接构造的与工艺技术无关的大信号非准静态FET模型

从原理上讲,非线性模型方程及其有关参数值可以从器件加工工艺中的各种物理参数获得。另一方面,非线性特点也可以用经验公式来模拟。其中系数的确定(参数提取)可以利用优化技术,通过对测得的数据进行拟合完成。通常,在工程实践中,以上两种方法对于定量的非线性电路设计都是不够的。在此我们提出的方法是,测出器件特性参数,然后,从这些数据构造出分别用于直流、小信号以及大信号分析的非线性模型函数。所得的FET模型具有以下特点:(1)它具有极好的通用性;(2)与所采用的器件加工技术及工艺过程无关,因为这些计算过程对于任何器件都适用,只要该器件能用等效电路表示就行;(3)该模型十分具体、精确,这表现在计算中包括了各器件依赖于V_(GS)和V_(DS)特有的非线性;(4)该模型是非准静态的,因为它考虑了频率色散效应。根据比例换算原理,它可以模拟各种结构的器件。

电路特性随元器件参数变化曲线的软件实现方法

在设计电路时，往往希望知道电路参数变化对电路性能指标的影响。用电路分析软件 OrCAD／PSpice 9能够方便、快捷地定量分析电路特性随某一元器件参数的变化关系，从而为设计电路、选择元器件参数、优化电路设计等提供可靠的理论根据。本文通过简单的实例，较详细地说明了用该软件作电路特性──元器件参数变化曲线的几种方法。

2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数

对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟结果表明满足 2 .5— 10 Gb/

器件模型参数的相关性分析与建模

本文基于主成份分析和因子分析，提出了集成电路（ＩＣ）器件模型参数的主成份因子统计模型，并给出了主成份因子分析的方法及其模型的建立过程．最后，以电路实例分析验证了该方法的可行性和有效性．该统计模型可用于ＩＣ性能分析和统计优化设计．

用改进的混合遗传算法进行器件模型参数提取

本文研究了使用混合遗传算法的器件模型参数提取。该混合遗传算法结合了全局寻优的遗传算法和局部寻优的Powell算法,以改善单纯使用遗传算法局部收敛速度较慢这一不足。为了进一步加快算法的速度,提出了在混合算法开始阶段控制Powell迭代次数的策略。文中以GaAs MESFET小信号模型的参数提取为例,说明了算法的效果。

器件特性参数对SiC MOSFET静动态均流影响的实验研究

碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异。然而在并联应用中,不同器件之间较大的特性参数差异会影响并联均流的动静态特性。现有的SiC MOSFET并联均流研究并没有全面地分析器件参数对并联均流产生的影响。因此,测试了30个器件在通态电阻、阈值电压、跨导和寄生电容上的差异并理论分析了不同特性参数对并联动静态均流所造成的影响,设计了SiC MOSFET并联均流实验的平台,且在排除电路参数以及测量系统可能引入的误差的条件下,针对不同器件参数的差异度进行实验,最后综合理论分析和实验结果,得出SiC MOSFET不同器件特性参数的差异度分别对静动态均流的影响以及这些影响的综合作用关系。

RTD／HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系

为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。