太阳电池器件参数提取的一种简单方法

为了较为简洁高效准确地获得串联电阻R_s、并联电阻R_(sh)、品质因子m、反向饱和电流J_0和光生电流J_(ph)等器件参数,提出一种利用太阳电池伏安特性曲线(J-V曲线)提取这些器件参数的简单方法。利用实验制备的几组铜铟镓硒(CIGS)太阳电池的J-V曲线数据进行实例器件参数提取,并验证该方法具有的较高的准确性。此外,还将这几组铜铟镓硒太阳电池和国外高效率铜铟镓硒太阳电池进行对比,发现电池之间效率相差较大的原因。

用改进的混合遗传算法进行器件模型参数提取

本文研究了使用混合遗传算法的器件模型参数提取。该混合遗传算法结合了全局寻优的遗传算法和局部寻优的Powell算法,以改善单纯使用遗传算法局部收敛速度较慢这一不足。为了进一步加快算法的速度,提出了在混合算法开始阶段控制Powell迭代次数的策略。文中以GaAs MESFET小信号模型的参数提取为例,说明了算法的效果。

CMOS／SOI电路模拟与参数提取

ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。