2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数

对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟结果表明满足 2 .5— 10 Gb/

器件模型参数的相关性分析与建模

本文基于主成份分析和因子分析，提出了集成电路（ＩＣ）器件模型参数的主成份因子统计模型，并给出了主成份因子分析的方法及其模型的建立过程．最后，以电路实例分析验证了该方法的可行性和有效性．该统计模型可用于ＩＣ性能分析和统计优化设计．

用改进的混合遗传算法进行器件模型参数提取

本文研究了使用混合遗传算法的器件模型参数提取。该混合遗传算法结合了全局寻优的遗传算法和局部寻优的Powell算法,以改善单纯使用遗传算法局部收敛速度较慢这一不足。为了进一步加快算法的速度,提出了在混合算法开始阶段控制Powell迭代次数的策略。文中以GaAs MESFET小信号模型的参数提取为例,说明了算法的效果。

EDA技术的发展与OrCAD设计软件的应用

对EDA技术的发展作了简要的叙述，对OrCAD设计软件在实际应用中遇到和解决的问题进行了归纳和总结。