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平面结终端场位分析的数值方法综述
1
作者
唐本奇
高玉民
罗晋生
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1997年第3期1-2,29,共3页
本文对高压平面结终端结构优化设计中采用的各种数值方法开展了分析和比较,总结了其中的一般性规律,对终端结构优化设计的发展提出了自己的看法。
关键词
平面结终端技术
器件物理方程
硅功率
器件
下载PDF
职称材料
题名
平面结终端场位分析的数值方法综述
1
作者
唐本奇
高玉民
罗晋生
机构
西安交通大学微电子工程系
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1997年第3期1-2,29,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文对高压平面结终端结构优化设计中采用的各种数值方法开展了分析和比较,总结了其中的一般性规律,对终端结构优化设计的发展提出了自己的看法。
关键词
平面结终端技术
器件物理方程
硅功率
器件
Keywords
Planar junction termination technique equations of device physics,Avalanche ionization, Numerical method
分类号
TN301 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
平面结终端场位分析的数值方法综述
唐本奇
高玉民
罗晋生
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1997
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