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器件特性参数对SiC MOSFET静动态均流影响的实验研究
被引量:
3
1
作者
孙鹏
魏昌俊
+2 位作者
柯俊吉
赵志斌
杨霏
《智能电网》
2017年第8期757-764,共8页
碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异。然而在并联应用中,不同器件之间较大的特性参数差异会影响并联均流的动静态特性。现有的SiC MOSFET并联均流研究并没有全面地分析器件参...
碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异。然而在并联应用中,不同器件之间较大的特性参数差异会影响并联均流的动静态特性。现有的SiC MOSFET并联均流研究并没有全面地分析器件参数对并联均流产生的影响。因此,测试了30个器件在通态电阻、阈值电压、跨导和寄生电容上的差异并理论分析了不同特性参数对并联动静态均流所造成的影响,设计了SiC MOSFET并联均流实验的平台,且在排除电路参数以及测量系统可能引入的误差的条件下,针对不同器件参数的差异度进行实验,最后综合理论分析和实验结果,得出SiC MOSFET不同器件特性参数的差异度分别对静动态均流的影响以及这些影响的综合作用关系。
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关键词
SIC
MOSFET
器件特性参数
差异度
并联
静动态均流
器件
筛选
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职称材料
题名
器件特性参数对SiC MOSFET静动态均流影响的实验研究
被引量:
3
1
作者
孙鹏
魏昌俊
柯俊吉
赵志斌
杨霏
机构
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)
全球能源互联网研究院
出处
《智能电网》
2017年第8期757-764,共8页
基金
国家重点研发计划项目(2016YFB0400503)~~
文摘
碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异。然而在并联应用中,不同器件之间较大的特性参数差异会影响并联均流的动静态特性。现有的SiC MOSFET并联均流研究并没有全面地分析器件参数对并联均流产生的影响。因此,测试了30个器件在通态电阻、阈值电压、跨导和寄生电容上的差异并理论分析了不同特性参数对并联动静态均流所造成的影响,设计了SiC MOSFET并联均流实验的平台,且在排除电路参数以及测量系统可能引入的误差的条件下,针对不同器件参数的差异度进行实验,最后综合理论分析和实验结果,得出SiC MOSFET不同器件特性参数的差异度分别对静动态均流的影响以及这些影响的综合作用关系。
关键词
SIC
MOSFET
器件特性参数
差异度
并联
静动态均流
器件
筛选
Keywords
SiC MOSFET
characteristic parameters
differences
parallel connection
static and dynamic current sharing
device screening
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
器件特性参数对SiC MOSFET静动态均流影响的实验研究
孙鹏
魏昌俊
柯俊吉
赵志斌
杨霏
《智能电网》
2017
3
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