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离子注入剥离法制备绝缘体上应变硅及其表征
1
作者
陆子同
母志强
+4 位作者
薛忠营
刘林杰
陈达
狄增峰
张苗
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期522-526,558,共6页
基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变硅(sSOI)材料。利用喇曼光谱分析、缺陷优先腐蚀以及透射电子显微镜(TEM)等方法表征了sSOI材料的应变度、...
基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变硅(sSOI)材料。利用喇曼光谱分析、缺陷优先腐蚀以及透射电子显微镜(TEM)等方法表征了sSOI材料的应变度、缺陷密度以及晶体质量;制备了基于sSOI材料的n型金属-氧化层-半导体场效晶体管(n-MOSFET)以表征其电学性能,同时在相同工艺下制备了基于SOI材料的n-MOSFET器件作对比。结果表明,制备的sSOI材料顶层应变硅薄膜的应变为1.01%,并且在800℃热处理后仍能保持;应变硅薄膜厚度为18 nm,缺陷密度为4.0×104cm-2,具有较高的晶体质量;制备的sSOI n-MOSFET器件的开关电流比(Ion/Ioff)达到108,亚阈值斜率为69.31 mV/dec,相比SOI n-MOSFET,其驱动电流提高了10倍。
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关键词
离子剥离
绝缘体上应变硅
N-MOSFET
器件电学性能
电子迁移率
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职称材料
题名
离子注入剥离法制备绝缘体上应变硅及其表征
1
作者
陆子同
母志强
薛忠营
刘林杰
陈达
狄增峰
张苗
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期522-526,558,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划(2010CB832906)
上海市自然科学基金资助项目(12ZR1436300)
文摘
基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变硅(sSOI)材料。利用喇曼光谱分析、缺陷优先腐蚀以及透射电子显微镜(TEM)等方法表征了sSOI材料的应变度、缺陷密度以及晶体质量;制备了基于sSOI材料的n型金属-氧化层-半导体场效晶体管(n-MOSFET)以表征其电学性能,同时在相同工艺下制备了基于SOI材料的n-MOSFET器件作对比。结果表明,制备的sSOI材料顶层应变硅薄膜的应变为1.01%,并且在800℃热处理后仍能保持;应变硅薄膜厚度为18 nm,缺陷密度为4.0×104cm-2,具有较高的晶体质量;制备的sSOI n-MOSFET器件的开关电流比(Ion/Ioff)达到108,亚阈值斜率为69.31 mV/dec,相比SOI n-MOSFET,其驱动电流提高了10倍。
关键词
离子剥离
绝缘体上应变硅
N-MOSFET
器件电学性能
电子迁移率
Keywords
ion cut
strained silicon on the insulator
n-MOSFET
device electrical property
electron mobility
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
离子注入剥离法制备绝缘体上应变硅及其表征
陆子同
母志强
薛忠营
刘林杰
陈达
狄增峰
张苗
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
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