基于光电倍增管的核电子学前端系统噪声研究

核电子学前端噪声是设计核电子学前端必须考虑的重要问题,如何确定核电子学前端噪声界限,提高信噪比是前端设计必须关注的问题。从核电子学前端系统(探测器(光电倍增管)、前置放大器和滤波成形电路)入手,通过2个不等式建立了核电子学前端系统噪声上界、下界问题和核电子学前端噪声模型,同时给出核电子学前端系统噪声上界。研究表明,电荷灵敏前置放大器噪声下界与频带无关;核电子学前端系统噪声上界与给定条件下信号频带宽度成正比。