亚70nm CMOS工艺低漏电流、高噪声容限的低功耗多输入多米诺或门的设计(英文)

提出了两种新的电路技术,在降低多输入多米诺“或门”的动态功耗的同时减小了漏电流,并提高了电路的噪声容限.采用新的电路技术设计了八输入多米诺“或门”并基于45nm BSI M4 SPICE模型对其进行了模拟.模拟结果表明,设计的两种新多米诺电路在同样的噪声容限下有效地降低了动态功耗,减小了总的漏电流,同时提高了工作速度.与双阈值多米诺电路相比,设计的两种电路动态功耗分别降低了8·8 %和11·8 %,电路速度分别提高了9·5 %和13·7 %,同时总的漏电流分别降低了80·8 %和82·4 %.基于模拟结果,也分析了双阈值多米诺电路中求值点的不同逻辑状态对总的漏电流的影响.

美军标MIL-STD-883K中噪声容限测试方法的适用性研究

提出了美军标MIL-STD-883K噪声容限测试方法在使用中的一些问题。基于对业界所用噪声容限测试方法的分析,比较了各种方法间的区别和优缺点,分析了美军标中噪声容限测试方法很少修订却长期存在的原因。通过对相关标准和测试方法的梳理,明确了美军标及其他噪声容限测试方法的适用范围,提出了我国相应标准制修订方向的建议。测试结果表明,最大乘积法和动态最大等边法在较大的范围内都适用,可以在我国相应标准中加以采用。

安全逻辑器件与CMOS B/T逻辑电路及其噪声容限

本文从容错计算技术的使用效果出发,将其分为故障诊断、资源冗余和故障安全三类技术。在分析传统故障安全技术的基础上,建立了一个统一的安全逻辑系统概念模型,并以此对该种系统进行了分类。作为一类扩展故障安全逻辑器件,文章重点介绍了三中取二值CMOS 逻辑电路,并参照CMOS 二值集成电路参量体系,结合实际测量结果提出了CMOS 三中取二值逻辑器件噪声容限的定义及其解法,从而为进一步完善该类新型器件的参量体系奠定了基础,同时还有利于其推广应用。

深亚微米SRAM存储单元静态噪声容限研究

文章对深亚微米条件下的SRAM存储单元的静态噪声容限进行了详细的理论分析。并在此基础上分析考虑了各种因素对静态噪声容限的影响,并利用Hspice软件进行了仿真。仿真结果显示,理论分析的结果与实际相吻合。

多卤化策略构筑双极性晶体管和具有良好噪声容限的高增益反相器

双极性半导体聚合物在有机场效应晶体管(OFETs)和逻辑电路中具有良好的应用前景.本文报道了一种多卤化策略,合成了第一个多卤化环化靛蓝(FClBAI)及其聚合物(PFClBAI-V).PFClBAI-V具有超窄的光学带隙(0.99 eV),其HOMO和LUMO能级分别为-5.40和-3.86 eV.基于PFClBAI-V的OFETs表现出良好的平衡双极性半导体性能,其最大空穴和电子迁移率分别为1.72和1.22 cm^(2)Vs.此外,其p型阈值电压和n型阈值电压非常接近.基于PFClBAI-V的反相器的增益高达136,同时噪声容限达到了68.5%,这些结果是基于双极性聚合物的反相器的最高值之一.上述结果表明多卤化是一种获得平衡双极性晶体管和高性能反相器的有效策略.

具有电隔离、线"或"能力和改善噪声容限的I^2C接口

本设计实例描述了一种简单而有效的方法为连接在I2C总线上的设备提供光隔离（图1）。这个电路改进了早期的版本。（参考文献1）。 SDA和SCL处在I^2C总线的主区域。SDA1和SCL1在从设备区域。可以很容易对时钟线路进行光隔离，因为它具有从主设备到从设备的单向性。Q3是P沟道MOSFET．它为快速光耦合器IC2的LED提供电流，缓冲时钟线路。

基于OCDMA的无源光网络中信道噪声优化方法研究

基于光码分复用(OCDMA)的无源光网络(PON)具有异步接入、带宽分配灵活、接入路由控制简单等优点而成为下一代PON的最佳候选方案之一。文章介绍了OCDMA-PON系统涉及的关键技术和亟待解决的技术问题,着重分析了利用MCD(丢失时片检测)、功率控制等消除远近效应和采用阈值判决、前向纠错、DPSK等改进噪声容限的方法,总结了其最新发展动态。

基于XDSL串扰噪声的应对技术分析研究

在DSL运行环境中,由于电缆内部线对间的非屏蔽而存在电磁耦合导致的串扰。串扰噪声造成XDSL速率下降甚至重训练,影响业务质量。本文对串扰导致的性能损失和导致重训练的原因进行分析并且就解决串扰导致稳定性问题的方法进行探讨。

基于低电压SRAM的单元结构优化研究进展

阐述低电压技术的应用背景,综述国内外研究现状,针对低电压技术下SRAM单元结构优化面临的问题进行分析,并探讨了相应的解决策略,认为其在图像处理、语音识别、存内计算等领域具有广阔的发展空间。

一种用于FPGA配置的抗干扰维持电路

设计并实现了一种用于FPGA配置的抗干扰维持电路,针对基于SRAM的FPGA配置单元易受噪声影响丢失信息的问题,提出了电压不稳定、低压状态下配置信息的抗干扰维持方案.在设计高面积效率配置单元、分析噪声容限的基础上,得出配置单元静态噪声容限随电源电压单调递增的关系,并进一步设计了基准、电荷泵以及电压比较控制电路构成的可切换电源反馈控制电路,实现了配置单元的稳定供电.仿真及测试结果表明,正常工作电压为2.5V的FPGA芯片能在1.8V低电压下维持配置信息,提高了FPGA芯片的抗干扰性能.

亚65nm工艺新型p结构多米诺与门设计

利用休眠晶体管、多阈值和SEFG技术(源跟随求值门技术),设计了一种新型的p结构多米诺与门.HSPICE仿真结果表明,在相同的时间延迟下,与标准双阈值多米诺与门、标准低阈值多米诺与门和SEFG结构相比,提出的新型多米诺与门的漏电流分别减小了43%,62%和67%,噪声容限分别增大了3.4%,23.6%和13.7%.从而有效地解决了亚65nm工艺下多米诺与门存在的漏电流过大,易受干扰的问题.分析并得到了不同结构的休眠多米诺与门的漏电流最低的输入矢量和时钟状态.

6-T CMOS SRAM单元稳定性分析及设计优化

介绍了一种由两个交叉耦合反向器构成的6-晶体管(6-T)存储单元的噪声容限分析方法。对6-T CMOS SRAM单元的稳定性作了分析及仿真。借助SPICE和MATLAB工具,对存储单元在数据保持和数据读取时的稳定性、数据写入过程中的可靠性及其之间的关系进行了深入研究。对可能影响噪声容限的因素,如单元比、上拉比、MOS管的阈值电压、位线预充电压、电源电压以及温度进行了仿真讨论,并从中得到合适的电路设计参数。流片结果表明,理论分析与实测数据相符。分析数据对基于CSMC 0.5μm CMOS工艺的SRAM电路设计优化具有指导作用。

阈值电压对超深亚微米SRAM存储单元SNM的影响

采用基于物理模型的 α指数 MOSFET模型 ,对超深亚微米 (VDSM:Very Deep Submicron) SRAM存储单元的静态噪声容限 (SNM:Static Noise Margin)进行了解析分析 ,分析中考虑了随机工艺涨落造成的VDSM SRAM存储单元阈值失配对 SNM的影响 ,结果与 HSPICE仿真相符 ;文中同时分析了栅宽与 SNM的关系 ,其结论与实验结果一致 ,并给出了 VDSM

间歇式智能抽油机控制器的研制

介绍了利用超声波检测抽油机的工作状态,从而实现抽油机的智能间歇控制。详细说明了超声波的测量原理和方法,着重讨论提高测量和控制精度的方法。现场测试表明,该间歇式抽油机智能控制器节电效果明显。

适用于位交叉布局的低电压SRAM单元(英文)

提出一种9管单端SRAM单元结构,该种SRAM单元采用读写分离方式,具有较高的保持稳定性和读稳定性。该单元采用新的写操作方式,使由其组成的存储阵列中,处于"假读"状态的单元仍具有较高的稳定性,因此在布局时能够采用位交叉布局,进而采用简单的错误纠正码(ECC)方式解决由软失效引起的多比特错误问题。仿真结果显示,当电源电压为300 mV时,该种结构的静态噪声容限为100 mV,处于"假读"状态的单元静态噪声容限为70 mV。

人的体视抗干扰能力

设计了四套随机点立体图对,用以说明双眼视差、图形大小和结构、图像质地与人的体视抗干扰能力之间的关系。我们得出的主要结果是: (1) 体视抗干扰能力与视差的大小和方向有关。在本工作所取视差范围(0.32°—1.6°)内,视差大,噪声容限低;视差小,噪声容限高。交叉视差和不交叉视差的噪声容限是不对称的,交叉的比不交叉的高。 (2) 立体视觉抗干扰能力与图形的大小和结构有关。图形越小越复杂,噪声容限就越低。 (3) 立体视觉抗干扰能力与图像质地有关。“棋盘格”质地的噪声容限略高于“窗纱布”质地的噪声容限。 (4) 随机点立体图对的最大噪声容限看来不会超过30％。

一种用于提高读写操作的新型8管SRAM单元设计

随着MOS制造工艺的不断发展,晶体管的特征尺寸越来越小,SRAM存储单元对制造工艺的要求也越来越高,功耗问题也越来越突出,该文设计的新型8管采用单个位线来进行读写操作,在两个交叉耦合的反相器之间加入PMOS晶体管来提高写能力。仿真的结果表明：与传统6管和7管相比,这种8管呈现出更好的读噪声容限、写裕度和保持存储数据的能力。

微机控制系统总线中的实际问题及对策

本文分析了采用标准总线构成微机应用系统时,必须考虑的一些实际干扰问题,例如,信号在总线上传输造成的延迟,总线上由于负载不匹配造成的反射,由于分布参数造成的串扰,总线驱动以及进行总线扩展时可能出现的问题,给出了解决问题的方法。综合运用这些方法,可设计出高可靠性的微机实时控制系统。

综合测试仪打印机故障分析

在工厂电子产品制作的过程中或学校的实验室在使用测试各种电阻的测试仪调试设备或测试设备的过程中经常发生打印机停打的现象,从而使生产进度或者实验的准确度受到影响。从理论以及工作实践中,找出打印机停打的原因主要来自于干扰方面,因此重点从干扰方面来阐述如何解决打印机停打的问题,并且在公司的实际应用中得到证明,提出的方法改进后,打印机再也没有出现过停打的现象。