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CMOS毫米波低相噪级联双锁相环频率综合器设计 被引量:1
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作者 尹时威 张长春 +1 位作者 唐路 袁珩洲 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第4期588-594,共7页
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种低相噪级联双锁相环毫米波频率综合器。该频率综合器采用两级锁相环级联的结构,减轻了单级毫米波频率综合器带内和带外相位噪声受带宽的影响。时间数字转换器采用游标卡尺型结构,改善了PVT变化下时间数字... 采用65 nm CMOS工艺,设计了一种低相噪级联双锁相环毫米波频率综合器。该频率综合器采用两级锁相环级联的结构,减轻了单级毫米波频率综合器带内和带外相位噪声受带宽的影响。时间数字转换器采用游标卡尺型结构,改善了PVT变化下时间数字转换器的量化线性度。数字环路滤波器采用自动环路增益控制技术来自适应调节环路带宽,以提高频率综合器的性能。振荡器采用噪声循环技术,减小了注入到谐振腔的噪声,进而改善了振荡器的相位噪声。后仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,该频率综合器可输出的频率范围为22~26 GHz,在输出频率为24 GHz时,相位噪声为-104.8 dBc/Hz@1 MHz,功耗为46.8 mW。 展开更多
关键词 全数字锁相环 噪声循环振荡器 亚采样锁相环 级联锁相环 相位噪声
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