一种具有0.75dB噪声系数的2.3～2.4GHz单片集成低噪声放大器

报道了一种基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管工艺的两级级联结构的微波单片集成低噪声放大器。该低噪声放大器为光纤射频组网技术而研发，采用集总参数元件完成片上输入输出阻抗匹配，节省了芯片面积和成本。在50Ω端口测试条件下，该低噪声放大器在2．3～2．4GHz的频段内，噪声系数约为0．75dB，增益大于25dB，在3．3V的工作电压下消耗32mA的电流。与同频段同类型的低噪声放大器相比，文中报道的LNA具有突出的低噪声性能，这主要归因于依据晶体管的噪声最优阻抗匹配理论选取了合适的输入级放大管尺寸和一个具有极小寄生电阻的输入匹配网络以及pHEMT管本身优异的低噪声特性。