MEMS压电矢量水听器低噪声前置放大电路

等效自噪声是微机电系统(MEMS)压电矢量水听器重要的性能指标,前置放大电路的噪声是其主要来源之一。为降低MEMS压电矢量水听器的自噪声,设计了一种低噪声前置放大电路。采用双JFET并联电路结构,辅以合适的偏置电路,对不同噪声源进行理论分析,优化电路参数,最终实现了噪声性能较优的低噪声前置放大电路的设计与制备。测试结果表明,在MEMS压电矢量水听器的工作频带内,低噪声前置放大电路信号放大无失真,电压增益为43.8d B,等效输入噪声电压谱密度为0.7nV√Hz@1 kHz其噪声性能较国内外同类型的放大电路具有一定优势。

基于MC2045的1550nm的SFF光接收机噪声特性分析及设计

分析了光接收机噪声特性,讨论了Peraonick定义的加权常数I1I2I3和S1与输入输出脉冲的形状、输入光功率产生的与信号有关的等效输入噪声功率之间的关系,选择适当的灵敏度与动态范围,具体阐述了光收发合一模块SFF中接收部分构成,设计出基于MC2045的1550nm的SFF。

水声接收机前置放大电路噪声分析与改进

水声信号经换能器转换为电学信号之后,其强度通常较弱,在应用之前需通过前置放大电路进行放大处理,提高其信噪比。为改善现有水声接收机前置放大电路的低噪声性能,基于通用的噪声模型,结合噪声叠加原理,对现有的水声接收机前置放大电路的噪声源进行分析,并对输出端的总电压密度和均方根噪声进行计算。在此基础上,提出2种降低前置放大电路噪声的方法,并通过仿真验证其降噪性能。此外,综合考虑降噪性能和实际应用要求,从这2种方法中选出更优方法,供后续前置放大电路降噪项目的开展参考。

全固体Ag/AgCl电极的制备工艺研究

探讨了制备全固体Ag/AgCl电极所用的AgCl前驱粉体的工艺技术,对其进行了形貌和物相分析,并对工艺改进后制备电极的短期稳定性、电化学噪声水平进行了测试。结果表明,以AgNO3和NaCl为原料,利用乙醇作为助磨剂,球磨8h后,利用冷冻干燥法所制备的AgCl粉体分散性极好,大小均匀,在490℃下烧结后所制备的Ag/AgCl复合电极一致性好,同种电极之间的极差电位约为0.006mV。该电极具有良好的短期稳定性能,电极电位波动量不超过0.080mV/24h,电极电压噪声密度在1Hz处可降低至8.34nV/Hz1/2。

一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器

针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/√Hz量级的极低输入噪声电压谱密度。采用双极晶体管构成的共集-共射增益级和互补推挽输出级,实现了100 dB的开环增益、10 V/μs的输出电压转换速率和10 MHz的带宽。该运算放大器适用于对微弱模拟信号的采集和放大。