在接收IC方面,将有2项成果发表。首先,美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)教授Razavi的研究小组,将发表采用90nto工艺CMOS技术的IC。演讲的题目是“Amm—Wave CMOS Heterodyne Receiverwith On—Chip LO and Divider”。在该IC中集成的...在接收IC方面,将有2项成果发表。首先,美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)教授Razavi的研究小组,将发表采用90nto工艺CMOS技术的IC。演讲的题目是“Amm—Wave CMOS Heterodyne Receiverwith On—Chip LO and Divider”。在该IC中集成的元件,包括LNA、RF以及IF频带的混频器电路、分频器等。该产品在1.8V电压下工作,耗电量为80roW。49GHz~50GHz下的噪音指数(NF)为6.9dB~8.3dB。展开更多
文摘在接收IC方面,将有2项成果发表。首先,美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)教授Razavi的研究小组,将发表采用90nto工艺CMOS技术的IC。演讲的题目是“Amm—Wave CMOS Heterodyne Receiverwith On—Chip LO and Divider”。在该IC中集成的元件,包括LNA、RF以及IF频带的混频器电路、分频器等。该产品在1.8V电压下工作,耗电量为80roW。49GHz~50GHz下的噪音指数(NF)为6.9dB~8.3dB。