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等离子体噻吩聚合膜紫外吸收的讨论
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作者 张铮扬 《中国纺织大学学报》 CSCD 1998年第1期86-87,共2页
从等离子体噻吩聚合膜的反射谱和透射谱,运用传递距阵方法计算得到膜的光学常数:折射率n_f和消光系数k_f(受测量仪器限制,反射谱和透射谱以能量(?)ω表示的频率宽度为0.4~4.0 eV)。等离子体噻吩聚合膜在这个频率宽度内,没有显示出对光... 从等离子体噻吩聚合膜的反射谱和透射谱,运用传递距阵方法计算得到膜的光学常数:折射率n_f和消光系数k_f(受测量仪器限制,反射谱和透射谱以能量(?)ω表示的频率宽度为0.4~4.0 eV)。等离子体噻吩聚合膜在这个频率宽度内,没有显示出对光的强吸收。由膜的折射率谱及塞尔迈耶公式,可推断在大于4.0 eV紫外区,等离子体噻吩聚合膜存在一定强度的吸收。并进一步利用复数介电函数的实部与虚部之间的 k-k关系,以振子模型进行外推,对等离子体噻吩聚合膜的紫外吸收进行讨论。 展开更多
关键词 等离子体 噻吩聚合膜 紫外吸收
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A structurally ordered thiophene-thiazole copolymer for organic thin-film transistors
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作者 CHEN DuGang ZHAO Yan +3 位作者 ZHONG Cheng YU Gui LIU YunQi QIN JinGui 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2012年第5期760-765,共6页
This paper reports a new donor-acceptor copolymer semiconductor, PTBTh, comprising bithiophene and bithiazole where the regular coplanar structure and the intramolecular charge transfer are expected to increase the op... This paper reports a new donor-acceptor copolymer semiconductor, PTBTh, comprising bithiophene and bithiazole where the regular coplanar structure and the intramolecular charge transfer are expected to increase the opportunity for --- stacking and charge transport. The AFM image shows lamellar stacking of the polymer on the surface. The field-effect transistor (FET) properties of PTBTh have been evaluated by a bottom-contact/bottom-gate TFT configuration. The device showed a high hole mobility of 1.14×10-2 cm2 V-1 s-1 and a current on/off ratio of 3×105 with the polymer thin film annealed at a mild temperature of 120 ℃ when measured under ambient conditions. 展开更多
关键词 thin-film transistors COPOLYMER MOBILITY atomic force microscopy
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