采用四乙基正硅酸盐的二氧化硅PECVD技术

本文介绍用四乙基正硅酸盐(TEOS)等离子体加速化学气相淀积SiO_2膜的试验研究情况。发现,当采用氧作氧化剂的时候,所产生的膜大约含有1个原子百分比浓度(a/o)的氮或碳。在反应中采用N_2O时,膜中氮浓度略有增加,达到2(a/o)。然而,在没有氧化剂的条件下,氮和碳浓度大致分别为18(a/o)和6(a/o)。膜的台阶覆盖(不考虑氧化剂)接近34％,与主要用硅烷的化学方法淀积的SiO_2膜所达到的10％相比较,有显著的改进。折射率、红外光谱和膜密度,似乎可表征淀积SiO_2膜的特征。TEOS-O_2膜的电特性产生大于6MV/cm的击穿电场,在1MV/cm下,漏电流密度为8×10^(-9)A/cm^2。具有同等厚度的热生长SiO_2的击穿电场和漏电流密度,分别为8MV/cm^2和2×10^(-9)A/cm^2。