自旋轨道矩调控的垂直磁各向异性四态存储器结构

利用氧化钽缓冲层对垂直各向异性钴铂多层膜磁性的影响,构想并验证了一种四态存储器单元.存储器器件包含两个区域,其中一区域的钴铂多层膜[Pt(3 nm)/Co(0.47 nm)/Pt(1.5 nm)]直接生长在热氧化硅衬底上,另一个区域在磁性膜和衬底之间沉积了一层氧化钽作为缓冲层[TaO x(0.3 nm)/Pt(3 nm)/Co(0.47 nm)/Pt(1.5 nm)],缓冲层导致两个区域的垂直磁各向异性不同.在固定的水平磁场下对器件施加与磁场同向的电流,由于电流引起的自旋轨道耦合力矩,两个区域的磁化取向均会发生翻转,且拥有不同的临界翻转电流.改变通过器件导电通道的电流脉冲形式,器件的磁化状态可以在4个态之间切换.本文器件的结构为设计自旋轨道矩存储器件提供了新的思路.

基于磁电复合材料的四态存储器

四态存储器是一种能够在一个存储单元内记录四种信息状态的新型存储器.采用磁电复合材料Co/PZT制作了一个四态存储器的存储单元原型,该存储单元的磁电输出信号随外磁场变化存在明显的滞回现象.根据磁电滞回现象,提出了施加偏置磁场的读取原理,实际测试结果给出了区别明显的15.8μV,?4.4μV,5.5μV,?11.3μV四种信号,初步演示了磁电复合材料用作四态存储器的可行性.