用四探针方法测量立方氮化硼的电阻率

本文利用薄膜沉积和光刻方法,在Si掺杂的p型立方氮化硼单晶表面制备出微小测量电极,测量出高温高压合成的、并经过热扩散获得的Si掺杂p型立方氮化硼的电阻率和导电特性,为小尺寸晶体材料的电学性质测量提供了一个有效的方法。

用两种四探针方法测量硅单晶片边缘电阻率及其结果的比较

本文简述了两种四探针方法测量硅单晶样片边缘电阻率的优缺点 ,及测量结果的比较 。

四探针扫描隧道显微镜

据国家自然科学基金委员会2006年8月18日报道，中科院物理所高鸿钧小组自行设计与研制了可原位生长、构造和研究介观体系的电、光、力学特性的分子束外延一四探针扫描隧道显微镜（MBE-4P—STM）联合系统，在国际上独具特色。该系统可在超高真空环境下制备与构造纳米体系，可用扫描隧道显微镜对其表面电子结构进行表征．用四探针方法研究电子输运性质，同时可研究纳米结构的光学特性，为系统地研究介观小尺度体系的物理、化学性质提供了强有力的工具，目前初步取得了一些有意义的研究结果。

退火温度对Co-Ag颗粒膜结构及巨磁电阻效应的影响

采用磁控溅射方法在室温衬底上制备了Co3 0 Ag70 (原子百分比 )颗粒膜。利用X射线衍射谱 (XRD)和四探针方法研究了Co3 0 Ag70 颗粒膜沉积态及真空退火后的室温结构和室温巨磁电阻效应。结果表明 :沉积态颗粒膜织构较明显 ,巨磁电阻效应呈现各向异性 ;随着退火温度的升高 ,Co3 0 Ag70 颗粒膜的微结构发生了演变 ,导致Co3 0 Ag70颗粒膜的巨磁电阻效应呈现先降后升再降的现象 ,在 4 73K达到最大值 ,其值约为 - 5 7%。

探针游移对方形四探针测试仪测量硅片薄层电阻的影响分析

分析方形四探针探针游移对其测量微区薄层电阻的影响,完成了测试薄层电阻的公式的推导,对游移后产生的误差影响进行了统计数据分析,得出了测试结果满足测试误差要求的结论。