四探针和双四探针法测量非晶态薄膜合金电阻的研究

研究了四探针和双四探针法测量非晶态薄膜合金电阻的几何尺寸效应，提出了一种高精度测量非晶态窄带薄膜合金电阻的新方法，理论和实验的研究结果都证明了这种方法的可行性。

四探针法测聚苯胺膜电导率的探讨

采用分散聚合反应体系,原位沉积制备聚苯胺/聚酰亚胺/聚苯胺(PANI/PI/PANI)导电复合膜。根据四探针法测量薄片电导率时对厚度的修正理论,推导出厚度在数字式四探针测量仪厚度修正范围之外的聚苯胺膜电导率测试值的"厚度修正"方法。为验证该厚度修正方法的准确性,将所制备的同等电化学性质的聚苯胺颗粒进行压片,制备出厚度在现有测量仪厚度修正范围之内的聚苯胺薄片,并用四探针法测其电导率。对比2种方法所测的聚苯胺电导率,结果表明,2种方法测得的电导率数量级一致,说明该厚度修正方法是相对准确的。

交流四探针法的电流分布

采用静电模拟法研究了交流四探针法的电压场和电流场。导出了计算电场电位、电流密度和二测量探针之间电压的表达式,并依此计算了流过测量探针的电流。发现其值很小,仅占总电流的6％,应引起人们的注意。

论四探针法测试半导体电阻率时的厚度修正

论述了用四探针法测量半导体片电阻率时,怎样更好地进行厚度修正,结果才更准确。首先讲述经典四探针法中从厚块原理出发和从薄层原理出发测试体电阻率的原理及其分界点,再论述双位组合四探针法中实现厚度修正的特点,并给出修正函数计算式及一部分修正函数数据表。

双电测组合四探针法测试半导体电阻率测准条件

简述了经典四探针法与双电测组合探法测量电阻率的优缺点 ,重点对双电测组合四探针法测量半导体电阻率的测准条件进行了阐述。并分别对不同形状的半导体材料如何测量进行了讨论 ,并给出了双电测组合法测量电阻率的准确计算公式。

四探针法测量土壤电阻率的探讨(英文)

文章对四探针法测量土壤电阻率的原理进行了研究。假设大地表面层土壤全为同一电阻率为ρ的均匀介质,当接地器中有恒定电流流过时,在土壤中建立了恒定电场,恒定电场满足拉普拉斯方程,依据球坐标系下的拉普拉斯方程,得到了土壤中任意一点的电位的解。在四探针严格地位于一条直线的方法,并分析了与土壤电阻率有关的因素,为电力系统的接地技术提供了重要参考依据。

新型四探针法测量离子注入精度与均匀性

1 引言离子注入方法具有很高的注入精确度和均匀性,其注入剂量重复性优于1％,整个硅片上的注入均匀性约在±1％左右。这是其它工艺方法所无法比拟的,因此离子注入已广泛地用于大规模集成电路的工艺过程中。

硅单晶电阻率四探针法测量不确定度评定

按照GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》,用四探针法测量硅单晶的电阻率,分析了测试过程中的不确定度来源并量化各分量,计算出了该方法的合成标准不确定度和扩展不确定度.

探针压力对四探针法测量银薄膜电阻率的影响

本文用四探针法测量了220纳米厚的银薄膜的电阻率,研究了探针压力对银薄膜电阻率的影响。结果表明:随着探针压力从1.47牛顿增大到4.41牛顿,银薄膜的电阻率略微增大,最大探针压力时的电阻率比最小探针压力时的电阻率大约增加了7%。

双位组合四探针法与常规四探针法的对比研究

论述了用四探针法测量半导体片电阻率的基本原理及优缺点。在常规四探针法的缺点是:所使用的探针头的探针间距应相等,对探针的游移率要求严格;材料的几何尺寸与探针间距相比应满足半无穷大。当上述条件不能满足,我们可以使用双位组合四探针法进行测量。我们对双位四探针法与常规四探针法进行了对比分析,并探讨了产生不同结果的根源。

光伏用硅片电阻率四探针法测量值不确定度评定

电阻率是太阳电池材料硅片的重要参数之一,也是决定太阳电池光电转换效率的重要参数之一。对于硅片生产单位和使用硅片制造器件的企业,电阻率是硅片检测过程中工作量最大的检测参数,同时也是硅片贸易合同中必须出现的检测参数。因此,电阻率的准确测量至关重要。文章分析了光伏用硅片在电阻率校准过程中对校准结果不确定度的各个影响因素,建立了评定校准结果不确定度的测量模型,并给出了四探针法测量光伏用硅片电阻率的相对扩展不确定度,确保光伏用硅片电阻率四探针法的测量值更为准确。

用特殊金属四探针法测量半导体陶瓷电阻率

为了解决用探针法直接测量半导体陶瓷电阻率的难题,必须了解这种特殊材料的性质。半导体陶瓷是结构不理想的晶粒体,是含有气孔、玻璃相及晶界层的多晶多相体,其结构远比锗、硅单晶要复杂。探针与陶瓷材料相接触,问题首先集中表现在半导体陶瓷表面比较复杂,有一层氧的化学吸附层。

基于四探针法测量玉米叶片电阻率的研究

本文对四探针法测试薄层材料电阻率的原理进行了论述,重点分析了直线型四探针测量原理,并应用该原理制作了测试装置。利用自制四探针对已知电阻率的ITO导电玻璃基片进行测量,结果表明该装置是精确可靠的。通过将四探针装置与电化学工作站四电极系统相结合对玉米叶片进行测试,计算出叶片电阻率并与传统恒流源产生电压响应的方法进行比较。结果表明:利用四探针测试方法,借助电化学工作站四电极系统可以准确快捷地测定叶片的电阻率,并为进一步研究植物叶片的电特性提供了重要参考。

再谈经典四探针测试方法中圆片边界修正系数

介绍经典法直排四探针测量电阻率或薄层电阻时，圆片边界修正系数的计算公式、计算程序和修正系数表。

金刚石对顶砧中四点探针法精确测量样品电阻率的电极因素

为了解金刚石对顶砧上电阻率高压原位测量中的电极效应,使用有限元分析方法,对样品中的稳恒电流场进行了模拟计算,发现电极的几何尺寸以及电极与样品电阻率的差别都会对测量误差产生影响。结果发现:电极的尺寸越大,误差越大;电极与样品电阻率数值差越大,误差越大。由此给出了减小电极效应以及减小测量误差的方法。

半导体电学特性四探针测试技术的研究现状

四探针法是材料学及半导体行业电学表征较常用的方法,其原理简单,能消除接触电阻影响,具有较高的测试精度。由厚块原理和薄层原理推导出计算公式,并经厚度、边缘效应和测试温度的修正即可得到精确测量值。据测试结构不同,四探针法可分为直线形、方形、范德堡和改进四探针法,其中直线四探针法最为常用,方形四探针多用于微区电阻测量。本文综述了四探针测试技术的基本理论,包括四探针法的分类、原理和修正,并阐述了四探针测试技术在微观领域的发展。

基于五探针差分法测量焊点电阻应变

针对四探针法测量焊点电阻的不足,提出了五探针差分微电阻测量技术。采用四探针法和五探针差分法对试样进行在线测量,并对两种方法采集的数据进行了分析对比。研究结果表明:五探针差分法能够精确测量焊点的电阻,相对四探针法,误差减少了20%～30%。提高了电阻应变的精确度,更能真实反映焊点的蠕变特性。

四探针电位法测量构件和材料裂纹深度的误差及其克服对策

简述了“四探针电位法”测量裂纹深度的原理,对测量误差进行了详细探讨并提出了解决的对策。

四探针研究N^+注入Si的退火特性

本文用四探针法测量了在不同剂量和不同能量下的N^+注入Si后的薄层电阻率及其退火效应,结果表明,N^+注入Si的退火特性曲线为“W”形,曲线中的两个波谷是两个好的退火区:其中间的波峰是逆退火区,在退火温度为1080℃附近时,当注入剂量为1×10^(14)N^+/cm^2,注入能量为170kev和注入剂量为5×10^(14)N^+/cm^2注入能量为160 kev时,薄层电阻率都有急剧增大的趋势,最后,本文对上述这些实验结果进行了初步的分析和讨论。

四探针方法测量钕铁硼永磁体电阻率

钕铁硼永磁材料电阻率的测量相关因素有粗糙度、厚度、面积、温度等等,准确设置以上条件是保证电阻率测量精确度的必要条件。利用四探针方法测量钕铁硼永磁体电阻率,无UPS电源的情况下,电阻率测量的最高值与最低值偏差为5%,加入UPS电源以后,电阻率测量的偏差为1.2%,偏差明显降低。当钕铁硼表面粗糙度为0.39μm时,电阻率测量值为139.84μΩ·cm,而当表面粗糙度为7.79μm时,电阻率测量值为147.20μΩ·cm。样品的电阻率随着样品厚度的增加而上升,当厚度在1 mm~5 mm范围内,所测量的电阻率随厚度增加而快速上升;厚度超过5 mm之后,电阻率呈现小平台内的波动。对于1 mm的探针间距,面积在20 mm×20 mm以上的样品才能满足测量要求。由厚度和面积相关的电阻率实验可以得知,测量样品尺寸越大,越利于测量的精确性。随着温度的升高,样品的电阻率有增加的趋势。但是对于M,H,SH牌号样品,200℃的电阻率均小于170℃的电阻率;对于UH牌号样品,电阻率的峰值则出现在110℃。