无铅互连凸点电迁移失效的四探针测量

针对无铅互连电迁移失效这一高密度封装时面临的重要课题进行了研究.采用四探针法分别监测了电流密度为1.5×104A/cm2和2.2×104A/cm2时Sn3.5Ag0.5Cu互连凸点上电压的变化,发现电流密度为2.2×104A/cm2时凸点的平均电阻变化率超过电迁移失效的临界值10%,分析了其微观结构的扫描电镜照片,所提出的发生电迁移失效的电流密度值为凸点设计提供十分有用的数据.对无铅互连凸点的电迁移失效过程和四探针测量法的测量误差进行了分析,提出了采用四凸点结构提高测量精度的改进措施.

高校物理教学实验中“四探针测量金属薄膜电阻率”的引入

在微电子技术领域中常用的测量电阻率的方法就是四探针测量金属薄膜电阻率的方法,而目前国内高校正面临教学体制改革。鉴于此,本文分析研究在高校物理教学实验中引入"四探针测量金属薄膜电阻率",分别介绍了实验原理以及引入该实验的优点,并深入探讨了高校物理教学实验的安排等,最后本研究认为将"四探针测量金属薄膜电阻率"引入到高校物理教学实验中具有实用价值,值得在国内高校中推广。

四探针法测试半导体掺杂浓度的实验研究

为了解决半导体掺杂浓度的测试问题,需要采用简单易行的方法对半导体进行测试。在微电子技术领域,四探针技术一直是测量电阻率的常用方法。结合吉林大学在半导体器件物理与实验精品课程的建设,以训练学生对半导体物理学专业知识的理解和掌握,笔者对四探针法测试半导体掺杂浓度进行了实验研究。通过建立半无限大和无限薄层两个理论模型,对不同厚度半导体材料的电阻率测试方法进行了实验研究,并对原理进行了讨论。为了解决商用测试设备昂贵且无法满足实验教学需求的问题,笔者提出自制实验测试装置,采用钨合金的简易手动探针台,并根据实验需要自行设计了四探针测试架。实践应用表明:四探针测试系统的建立可以完成测量半导体掺杂浓度的任务,满足了半导体物理实验的教学需求,取得了较好的教学效果。

PVDF-PMMA聚合物薄膜电解质的制备和性能研究

将聚偏氟乙烯（PVDF）和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶于N-N-二甲基甲酰胺（DMF）中，加入丙三醇作造孔剂，使用两种不同方法制得聚合物薄膜，再将薄膜浸泡于I2／KI的液态电解质中吸液，制得聚合物薄膜电解质。用四探针法测量其电导率，对比两种方法制得的聚合物薄膜的扫描电镜图片，从微观结构分析其电导率的差异。由分析可知制膜方法不同导致薄膜微观结构不同，也导致薄膜性能的差异。