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变温拉曼光谱研究电化学合成聚吡咯膜 被引量:2
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作者 陈凤恩 张家鑫 +2 位作者 傅明笑 郁鉴源 石高全 《光散射学报》 2003年第4期276-278,共3页
在含有四氟化硼四丁基铵的乙氰溶液中电化学氧化吡咯制得聚吡咯膜,并在-195到150℃温度范围内研究了该聚合物膜的变温拉曼光谱。在升温过程中,与氧化态相关的拉曼光谱谱带渐渐消失,这主要是由于空气中氧气和水分子的作用。在冷冻过程中... 在含有四氟化硼四丁基铵的乙氰溶液中电化学氧化吡咯制得聚吡咯膜,并在-195到150℃温度范围内研究了该聚合物膜的变温拉曼光谱。在升温过程中,与氧化态相关的拉曼光谱谱带渐渐消失,这主要是由于空气中氧气和水分子的作用。在冷冻过程中,聚合物链从无规线团状态转变成棒状构象,从而增加了导电高分子的共轭链长。由于拉曼的共振效应,在冷冻过程中与氧化态链段相关的谱带得到了增强。 展开更多
关键词 变温拉曼光谱 学法 聚吡咯膜 四氟化硼四丁基铵 冷冻过程 共轭链长 共振效应 谱带宽度
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