四氟化碳分子电离解离过程中的异构化动力学

采用离子动量成像谱仪研究了能量为1.0 ke V的电子束碰撞条件下CF_(4)分子的解离动力学.实验上,对解离离子的三维动量进行了成像测量,通过离子飞行时间关联谱识别了CF_(4)^(2+)异构化生成F_(2)^(+)分子的两个通道:F_(2)^(+)+CF_(2)^(+)与CF^(+)+F_(2)^(+)+F,得到了两个通道的离子动能及动能释放分布.对于其中的三体解离通道,我们进一步采用Dalitz图与Newton图等三体动力学分析方法对解离碎片的动量关联进行了分析.该通道以两个带电离子的背对背出射为主,中性的F原子作为旁观者只得到极小的反冲动量.

四氟化碳中三氟化氮杂质的热分解技术研究

在集成电路制造中,四氟化碳(CF_(4))气体常用作硅片干法蚀刻和清洗剂,而被广泛用于微电子、太阳能、电池、火箭等领域。采用氟碳直接合成法制备四氟化碳时,三氟化氮等杂质的产生不可避免,并且这些强氧化剂又会影响四氟化碳的使用,所以去除氧化性杂质一直都是工业上不可避免的问题,因此,研究四氟化碳的提纯对工业应用有着重要的意义。为了将四氟化碳提纯到99.9995%以上的电子级水平,必须将四氟化碳中的三氟化氮杂质控制在1ppmv以下。本文利用四氟化碳与三氟化的分解温度相差较大的特点,设计开发了五塔串联中频热解装置以去除三氟化氮,并通过试验对热解工艺条件进行优化,取得了良好的效果。

温室气体四氟化碳处理技术研究进展

四氟化碳(CF_(4))是《京都协议书》规定与管控的典型非二氧化碳超强温室气体之一。随着铝电解、半导体等工业活动规模的不断扩大,CF_(4)排放量持续增加,加剧了全球气候变化,影响着人类赖以生存的环境质量,同时阻碍了相关产业的可持续发展。随着碳达峰行动方案的落实,加大CF_(4)等非二氧化碳温室气体的控制力度已成为我国“碳达峰碳中和”战略目标达成的重要支撑。本文对CF_(4)的来源进行了系统地分析,阐述了CF_(4)主要行业来源、排放特征与生成机制。在综述了CF_(4)源头减排措施的基础上,分析了CF_(4)源头减排的局限性与末端处理的必然趋势。重点针对CF_(4)的末端处理,从物理和化学处理技术两大类方向总结了深冷分离、吸附法、膜分离、热力燃烧、热催化分解、等离子体高能分解、电催化分解等七种末端处理技术,阐述了相关方法的基本原理、应用案例和技术发展现状;根据各项技术的分解效率、温度、产物、能耗等参数,对比分析了技术间的优缺点;基于末端处理技术的行业需求和应用场景,研判了CF_(4)末端处理技术的未来挑战。

吸附—低温精馏法生产高纯四氟化碳的探讨

对吸附—低温精馏法生产高纯四氟化碳的可行性进行了控讨。用乙烯为致冷剂的制冷循环来满足低温精馏操作的要求。

温室气体监测用四氟化碳标准气体气相色谱分析方法及定值方法的研究

叙述了温室气体监测用四氟化碳 (CF4)标准气体气相色谱的实验方法和条件 ,给出了气相色谱分析方法的精密度和实验结果。该方法重现性好 。

四氟化碳中微量杂质的色谱分析

叙述了3N四氟化碳中微量杂质的色谱分析方法。在一台色谱仪上,用双气路、三根色谱柱和双检测器色谱流程、两次进样和切割等色谱技术,检测了3N四氟化碳中的微量O_2、N_2、CO、CO_2等杂质,最低检测浓度分别为O_2:12ppm;N_2:13ppm;CO:0.6ppm;CO_2:1.0ppm。

我国温室气体监测用四氟化碳(CF_4)标准气体研究现状

介绍了我国尚未完善的温室气体监测用四氟化碳标准气体的研究现状。

氦中氪、四氟化碳气体标准物质的研制

论述了氦中氪、四氟化碳气体标准物质的制备方法、稳定性参考值、不确定度计算,证明达到国家二级气体标准物质要求。研制方法可行,量值准确可靠。

四氟化碳的合成与开发

详细介绍了四氟化碳的性质、制备、精制、用途及经济等方面的状况,同时评述了四氟化碳的发展前景。

四氟化碳摩尔气化热的理论推算及其气化形成机理研究

运用表面化学基本原理,通过建立气化相变模型,对四氯化碳的摩尔气化热进行了理论推算,所得结果与文献实验值基本吻合。并就类似结构化合物用同样的模型对其摩尔气化热也进行了推算,结果与文献实验值基本吻合。将表面化学原理运用于分子水平。把体系的宏观物理量与微观物理量联系起来了,并且得到了一些有意义的结论。

四氟化碳的合成与开发(续)

The properties, preparation, purification, application and economics of carbon tetrafluoride were introduced in detail.The development prospect of carbon tetrafluoride was also given.

用氦离子化(DID)气相色谱仪分析高纯四氟化碳

介绍了一种利用氦离子化检测器(DID)分析高纯四氟化碳中微量氧气、氮气、二氧化碳和六氟乙烷的方法。利用阀切割技术能够将大量的四氟化碳主成分切割,使其不进入检测器系统。该方法对杂质的检测限能够达到0.01×10-6,经过方法验证证明,该方法能够达到较高的准确度和精密度。

氟气中氮气和四氟化碳的快速分析

电解法制得的氟气含有氮气、氟化氢和四氟化碳等杂质。利用氯化钠与氟气反应生成氯气,经NaOH溶液吸收氯气后用普通的气相色谱测定其中四氟化碳含量,操作简单、快速。

四氟化碳等离子体处理对聚酰亚胺介电性能的影响

采用等离子体活化的方法，使用四氟化碳（CF4）气体，对印刷线路板常用基材聚酰亚胺薄膜进行了处理，将含氟基团引入到聚酰亚胺薄膜表面。通过测量材料表面的接触角、x射线光电子能谱分析等，验证了通过等离子体处理，含氟基团成功引入了聚酰亚胺薄膜表面。通过改变等离子体处理的功率及反应时间，研究了不同处理条件对聚酰亚胺薄膜介电常数和介电损耗的影响。结果显示：随着处理功率和处理时间的增加，聚酰亚胺薄膜的介电常数和介电损耗在低频区域有显著的降低（频率范围1～100Hz）。在最优条件下，聚酰亚胺薄膜的介电常数从平均2．7降至平均1．9（频率范围1～100Hz），介电损耗正切值从平均0．145降至平均0．06左右（频率范围1～100Hz）。

氦离子色谱仪在四氟化碳分析中的应用

采用氦离子检测器(PDHID)及以热导检测器(TCD)与火焰离子化检测器(FID)组合的两种不同气相色谱分析方法测定四氟化碳(CF4)中的杂质,结果表明氦离子化检测器(PDHID)灵敏度更高,检测限更低,更适用于电子气体CF4的检测。

氟碳合成高纯四氟化碳的工艺技术

随着半导体产业的迅猛发展,对高纯四氟化碳(CF4)的需求日益显现。然而,有关生产高纯CF4的技术报道较少,限制了微电子产业的发展进程。综述了国内外氟碳直接合成四氟化碳的工艺技术,并作出了展望,同时对产品纯化所涉及的碱洗、低温精馏、吸附等方法进行了概述。根据本公司现行的生产工艺,生产的高纯CF4质量好且成本低,可以满足国内市场的需要。

四氟化碳喷淋水洗塔的设计计算与应用

为满足年产100 t四氟化碳的需要,须对水洗塔进行设计,用以除去混合气中的酸性杂质。实际运行证明,喷淋水洗塔可以满足四氟化碳生产的需要,有效地保证了产品的酸度。

气相色谱法测定高纯四氟化碳中三氟化氮杂质的方法

阐述了采用气相色谱法加中心切割、反吹的方法测定高纯四氟化碳中的微量三氟化氮杂质,此方法可靠,操作简单。通过多次实验对过程中的分析条件进行优化,从而达到有效的色谱分离度。并对目前四氟化碳的生产制备及分析方法做了简单的描述。

四氟化碳中微量氧、氮的气相色谱分析

叙述了4N四(?)化碳中微量O_2、N_2的色谱分析方法。以热导池为检测器、5N的He作载气,采用φ4×0.5×2m,TDX—01,60—80目的色谱柱,实现了四氟化碳中微量O_2、N_2的定量分析。最小检测浓度达到O_2为4ppm,N_2为5ppm。

加压精馏除去四氟化碳中六氟乙烷等氟碳杂质的研究

讨论了通过低温加压精馏(-60℃、2 0MPa)除去四氟化碳中六氟乙烷等氟碳杂质,以达到4N级四氟化碳对氟碳杂质浓度的要求。