偏硼酸锂-四硼酸锂熔融-电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定石膏中多组分含量

石膏在我国储量丰富,应用广泛,快速准确分析其成分含量对石膏资源的综合利用具有重要意义。针对酸溶法无法测定SiO_(2),碱熔法无法测定K_(2)O、Na_(2)O的问题,通过优化熔剂用量、熔融温度,建立了偏硼酸锂-四硼酸锂熔融-电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定石膏中CaO、SO_(3)、Al_(2)O_(3)、Fe_(2)O_(3)、MgO、TiO_(2)、K_(2)O、Na_(2)O、SiO_(2)含量的方法。结果表明采用试样与偏硼酸锂-四硼酸锂混合熔剂质量比例1∶5,在铂金坩埚中1000℃熔融10 min,在超声条件下,于50 mL盐酸(10%)中浸取熔融物,能够有效分解试样而浸取待测组分。向标准溶液系列中加入偏硼酸锂-四硼酸锂-盐酸基体溶液以消除基体对测试结果的影响。各待测组分的校准曲线的相关性系数均大于0.999,方法检出限在3~292μg/g;分别对国家一级标准物质GBW03109a、GBW03110和实际样品进行测定,5次平行测试标准物质的相对标准偏差(RSD)在0.14%~8.9%,测定结果的相对误差在0.030%~8.9%,测试结果与标准值无显著性差异;实际样品中各成分测定值的RSD(n=5)为0.24%~8.8%。方法操作简单、准确度高、精密度好、检出限低,可以同时测定石膏中的多组分含量,能够为石膏资源综合利用、调查评价提供一定的技术支撑。

四硼酸锂用于纸张脱酸研究

在25℃下采用四硼酸锂对两种纸张进行脱酸处理及脱酸后的老化实验,观察了脱酸剂浓度、处理时间对脱酸效果的影响,并与硼砂脱酸效果进行了比较。结果表明,纸张在质量浓度5.0 mg/mL的四硼酸锂中浸泡30 min后的强度性能较好,且脱酸后纸张的pH值控制在理想范围。老化实验后,四硼酸锂脱酸的纸张强度性能下降幅度要明显低于未脱酸处理纸张。在最佳脱酸剂质量浓度和处理时间条件下,与硼砂脱酸相比,四硼酸锂脱酸纸张的强度性能更好,四硼酸锂是一种较好的纸张脱酸剂。

四硼酸锂溶液物化性质与Raman光谱

采用等温蒸发法制备一系列过饱和四硼酸锂溶液,系统测定20、25、30℃下的溶液密度和p H,并采用经验Connaughton公式对溶液密度做了表达。用牛顿迭代法根据溶液中硼原子物料守恒方程计算溶液中多聚硼酸根物质的量分数与浓度关系,并得出各温度物种的分布图。采用激光拉曼方法研究四硼酸锂溶液,得出拉曼光谱图;采用B3LYP/aug-cc-p VDZ基组水平计算B4O5(OH)42-水溶液的Raman光谱,得出全对称伸缩振动峰(546.4 cm-1);结合计算光谱对部分实验光谱峰进行归属。根据实验拉曼光谱图与物种分布规律,得知溶液中的主要物种和可能存在的转化反应,并确定了四硼酸锂溶液中至少存在5种硼酸根,分别为B(OH)3、B(OH)4-、B3O3(OH)4-、B3O3(OH)52-和B4O5(OH)42-;并探讨了硼酸根间相互转化的可能机理。

四硼酸钾在水介质中的极压抗磨性能研究

采用四球摩擦磨损试验机考察了四硼酸钾在水介质中的极压抗磨性能,采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、X射线光电子能谱(XPS)分析了磨斑表面形貌、元素分布特征和化学状态。结果表明,四硼酸钾对提高水的极压性能效果十分突出,对改善抗磨性能效果一般。极压条件下四硼酸钾水溶液的磨斑表面擦伤小,硼含量高,并在摩擦表面形成了具有良好极压抗磨作用的以B2O3,Fe3O4和Fe2O3等为主要成分的摩擦氧化物膜。

四硼酸锂水溶液体系的热容及离子相互作用

采用Setaram BT 2.15微量热仪测定了Li2B4O7-H2O体系（Li2B4O7的浓度为0.00415-0.4208 mol/kg）在298.15,308.15和323.15 K下的热容,分别计算了不同温度和浓度下的表观摩尔热容,并获得了不同温度下表观摩尔热容与浓度的关系式.基于Li2B4O7-H2O体系的热容测定结果,应用Pitzer电解质溶液离子相互作用表观摩尔热容模型,拟合获得了四硼酸锂在不同温度下的Pitzer单盐参数.

四硼酸钠对AZ91D镁合金微弧氧化膜特性的影响

利用微弧氧化技术在AZ91D镁合金基体上制备了一系列陶瓷膜层。利用扫描电镜、膜层测厚仪、超景深光学显微镜分别研究了陶瓷膜层的微观形貌特征、厚度及表面粗糙度;采用交流阻抗谱测试了膜层在3.5%NaCl溶液中的耐蚀性能。结果表明,四硼酸钠质量浓度的变化对微弧氧化过程中的起弧电压和终止电压影响不大,适量的四硼酸钠可以稳定微弧氧化过程的控制电压;随着四硼酸钠质量浓度的增加,微弧氧化膜层的厚度先增加后降低,膜层表面粗糙度随着四硼酸钠质量浓度的增加呈先增加后降低的变化趋势;当四硼酸钠质量浓度为3g/L时,膜层较致密,表现出良好的耐蚀性能。

四硼酸钠对化学镀镍磷非晶镀层镀速及耐蚀性能的影响

采用化学镀的方法在45#碳钢试样表面制备了四硼酸钠(硼砂)促进Ni-P沉积的非晶镀层。利用扫描电子显微镜和X射线观察及分析了镀层的表面形貌与表面结构,研究了四硼酸钠的浓度对非晶镀层的表面形貌、沉积速率、P含量、孔隙率以及耐蚀性能的影响。结果表明,添加一定量的四硼酸钠能使镀层晶粒更加细化,分布更为均匀,镀层的沉积速率有很大的提高。随着四硼酸钠含量的增加,沉积速率逐渐升高,而镀层中的磷含量逐渐降低。当四硼酸钠的含量超过2.5g/L时,镀液的稳定性会大大的降低;镀速达到最大值21.35μm/h;磷含量最低为14.3%。四硼酸钠的加入对镀层的耐蚀性影响不大,但可以提高沉积速率从而提高镀层的使用周期,具有很好的经济效益和使用价值。

稀土Dy^(3+),Tm^(3+)单掺杂的四硼酸锌磷光体的热释光

通过高温固相法合成了Dy3+,Tm3+单掺杂的四硼酸锌(ZnB4O7)磷光体,测定了室温下这2个磷光体经60Coγ-射线辐照后的三维热释光谱。从三维热释光谱可以观察到:这2个磷光体的主发光峰均位于218℃;ZnB4O7∶Tm3+磷光体的主热释光峰的发射波长为366、453、475、651和754 nm,ZnB4O7∶Dy3+磷光体的主热释光峰的发射波长为480、573、665和755 nm,分别为稀土离子Tm3+和Dy3+的特征跃迁发射。对于Tm3+掺杂的ZnB4O7磷光体,热释光发射强度较高,在辐射剂量学领域有潜在的应用。利用峰形法,评估了ZnB4O7∶Tm3+磷光体在218℃时发光峰的动力学参数,其陷阱深度E为1.64 eV,频率因子为3.42×1016s-1,遵循二级动力学。

四硼酸锂晶体解理的形成机理

本文从结晶化学角度研究了Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７晶体结构，根据晶体的结构基元为［Ｂ４Ｏ９］６－络阴离子，并用计算机绘出了该络阴离子在｛００１｝，｛１００｝，｛１１０｝面上的投影，由［Ｂ４Ｏ９］６－络阴离子的结晶方位和分布确定了晶体的开裂是沿着络阴离子之间相连接的桥氧部位所断裂的．

四硼酸锶SrB4O7的晶体结构及其非线性光学性质

采用Kyropoulos法生长出高质量大尺寸的SrB4O7晶体,以单晶X射线衍射法确定了其晶体结构,讨论了与文献报道的晶体结构测量结果存在差异的原因,指出了前人工作中存在的问题,并研究了该晶体的非线性光学性质.

四硼酸钾(K_2B_4O_7·4H_2O)晶体的生长和性能

本文报道了四硼酸钾晶体的生长,采用缓慢降温法自水溶液中首次生长出透明的大单晶体,尺寸为35×55×30mm。晶体的粉末倍频强度大于KB_5晶体。测量了晶体的透光光谱,压电和介电常数。

四硼酸铅晶体生长及特性研究

本文采用熔体法生长出四硼酸铅透明大单晶 ,最大尺寸为 54mm× 4 6mm× 10mm。对它的结晶学特性进行了研究 ,晶体形态为沿a c晶面延伸的厚板状 ;晶体的质量与生长时引晶方向有关 ,当 (0 10 )晶面平行于液面时 ,晶体生长均匀 ,缺陷减少。该晶体的莫氏硬度为 8～ 8.5,化学性能稳定。晶体生长时无挥发物产生 ,因而减少其对环境的污染。本文测试了PbB4 O7晶体的熔点、透光性、热扩散物理性质 ,并首次定性测试了它的非线性光学性能 ,其倍频信号强度与KDP相当。

四硼酸锂晶体圆片的加工与表征

介绍了坩埚下降法生长的优质四硼酸锂晶体（ＬＢＯ）７６ｍｍ（３英寸）标准圆片的加工工艺，讨论了ＬＢＯ圆片的质量。研究表明。

四硼酸锂晶体的声表面波应用

介绍了新型压电晶体四硼酸锂的压电和声表面波特性，讨论了四硼酸锂晶体基片声表面波器件的制作工艺，总结了近年来四硼酸锂晶体压电器件的研究成果。

四硼酸锂单晶的光学性能表征

本工作测试了 LBO 单晶的折射率、电光系数、光吸收谱、红外光谱和喇曼光谱,详细分析了 LBO 晶体的光谱及其相应的晶格振动情况.实验表明,透明的、未掺杂的 LBO 晶体没有观察到明显的光折变效应.

应用四硼酸钠在磷酸钙沉积试验中稳定pH值的研究

在阻磷酸钙垢的评价试验过程中,pH 值变化对评价结果影响很大。本文提出用四硼酸钠稳定过程的pH 值,试验表明:这种方法可以保证对药剂阻垢性能进行可靠的区分和评选。

凝胶–燃烧法制备掺钕四硼酸铝钇纳米粉体

以硝酸盐为原料、柠檬酸为络合剂,采用凝胶–燃烧法成功制备出了掺钕的四硼酸铝钇[Nd3+:YAl3(BO3)4,Nd:YAB]纳米粉体。分别采用热重–差热分析、X射线衍射、Fourier变换红外光谱和扫描电子显微镜表征了不同温度下焙烧所得粉体的物相、形貌以及前驱体热分解特性。结果表明:Nd:YAB的最低合成温度为1000℃,与固相合成方法的最低合成温度相比降低了200℃。在反应过程中,首先形成中间相Al4B2O9,YBO3和Y3Al5O12,而最终形成单相的Nd:YAB。在1000℃合成Nd:YAB粉体的晶粒尺寸比较均匀,平均粒径为89.3nm。

四硼酸锂晶体的介电频域谱研究

选用优质四硼酸锂单晶加工成小薄片后测量其频域介电谱。在kHz至1 MHz范围内,观察到空间电荷等所引起的损耗峰,但损耗峰形复杂,不能用用德拜弛豫模型描述;从科尔—科尔图的趋势可以判断该晶体中,空间电荷引起的介电常数变化范围约为9.98~10.07。由紫外吸收谱估算出电子谐振频率高于1.67 PHz,根据光频段的介电色散模型,分析了折射率测量的实验结果,可得：晶体中电子极化的直流介电常数约为2.55,偶极取向极化和原子（离子）极化对直流介电常数的贡献约为7.43。

四硼酸十八铝晶须制备实验中的原料和产品分析

本文报道了在四硼酸十八铝晶须材料制备实验中，原料明矾、脱水明矾和硼酸，以及制成品四硼酸十八铝晶须的熔样处理和分析方法，同时给出有关分析结果。

四英寸四硼酸锂压电晶体的生长研究

以直径3英寸Li2B4O7晶体为籽晶,采用改进型坩埚下降法在Pt坩埚中生长了直径105mm、长度120mm、无宏观缺陷的高质量Li2B4O7,晶体.生长速率<0.3mm/h,固液界面附近的温度梯度约为30℃/cm.探讨了开裂、孪晶、包裹体等缺陷的形成和消除办法,测试了该晶体的性能.介电常数ε11=9.33,压电系数d33=0.94C/m2,机电偶合系数k33=0.42.高机电偶合系数和低介电常数表明该晶体在高频声表面波器件应用方面具有很大的潜力.