四硼酸锂晶体圆片的加工与表征

介绍了坩埚下降法生长的优质四硼酸锂晶体（ＬＢＯ）７６ｍｍ（３英寸）标准圆片的加工工艺，讨论了ＬＢＯ圆片的质量。研究表明。

四硼酸锂晶体的声表面波应用

介绍了新型压电晶体四硼酸锂的压电和声表面波特性，讨论了四硼酸锂晶体基片声表面波器件的制作工艺，总结了近年来四硼酸锂晶体压电器件的研究成果。

四硼酸锂晶体生长及应用

本文就LBO晶体生长与应用等问题进行了研究。指出应大力开展高粘度馆体中晶体生长热力学和动力学的研究，从该晶体诸报器和压控振荡器的性能的测试表明，这种晶体是一种具有很大市场应用潜力的压电晶体材料。

新型压电晶体材料四硼酸锂坩埚下降法新生长技术

该项目根据新型压电晶体材料的发展趋势,研究开发出用坩埚下降法生长四硼酸锂晶体的新工艺技术,生长出大尺寸(直径可达80mm)、高质量的四硼酸锂晶体材料,并实现了稳定生长,成品率由提拉法的30％提高到60％,在国际上率先实现了工业化。该发明1992年中国专利局授予发明专利,在四硼酸锂晶体生长技术领域处于国际领先水平。

Li_2B_4O_7晶体在SAW技术中的应用研究

采用CZ法生长了30× 30mm3 的Li2 B4 O7单晶体。对晶体的压电性能进行了研究 ,弹性系数的交叉分量少 ,数值相对较小 ;在 (0 0 1)面内有较高的声波传播速度 ,其变化范围为 6 5 0 0～ 70 80m/s,在 [0 0 1]方向有较低的声波传播速度 ,大约为 5 16 0m/s;而压电性能表明在不同方向的机电耦合系数均比石英晶体相应参数大得多。对晶体谐振器和压控震荡器的性能进行了研究 ,发现其机电耦合系数近似石英的十倍 ,很适合用来制作宽频器件。晶体谐振器的频率温度特性为抛物线型 ,其转变温度在室温 ,在 - 10℃～ 5 5℃温度范围内频率变化为 3× 10 -4 ,具有良好的频谱响应 ,其寄生频率高出主振 180kHz,衰减大于 30dB ,完全能满足器件使用要求。晶体滤波器 3dB带宽的相对宽度为1%,而石英仅为 0 .4%。

新型压电晶体Li_2B_4O_7的性能、生长和应用

本文详细介绍了我们在Li2B4O7晶体增润下降法生长方面的研究进展，报道了φ3″、φ4″无芯区、无孪晶、无云层、无开裂和无散射的Li2B4O7晶体的生长条件与缺陷消除，包括高纯原料的制备与成型、缓慢的生长速率、微凸和平的固液界面形状和适当的自退火工序．同时还简要介绍了该晶体的基本性能，综述了近年来的研究进展以及该晶体在SAW器件方面的应用．

压电家族新成员Li2B4O7晶体

四硼酸锂晶体是近年来发展起来的一种新型压电材料，在声表面波器件等方面有着广阔的应用前景。本文介绍了该晶体的性能、生长及其在器件上的应用，简要讨论了目前国内外的研究进展，展望了ＬＢＯ晶体与器件的前景。

大尺寸四硼酸锂压电晶体转向生长

四硼酸锂(Li_2B_4O_7,LBO)晶体是一种性能优异的压电基片材料,坩埚下降法生长的直径为76 mm LBO晶体已成功应用于声表面波(SAW)和体波(BW)器件。由于硼酸盐熔体粘度大、晶体易开裂,生长直径为102 mm的LBO晶体产业化还有很大难度。本工作根据坩埚下降法技术特点,提出了转向生长LBO晶体的工艺方案,成功生长出60 mm×110 mm×120 mm板状晶体。晶体沿[001]方向快速生长,侧面主面为(110)。生长的板状晶体经准确定向、加工后即可获得高度60 mm、直径为102 mm(4 in)的[110]取向LBO晶体,生长速率和晶体产率较传统方法都有显著提高。