四磺酸酞菁钴-DDAB表面活性剂薄膜电极的电化学与电化学催化研究

四磺酸酞菁钴配合物阴离子 ( Co Pc TS4- )在水溶液中可借助离子交换进入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵 ( DDAB)薄膜 ,从而形成 Co Pc TS4- DDAB薄膜电极 .循环伏安法表明 ,该薄膜电极在 p H7.0的空白缓冲溶液中十分稳定 ,有两对准可逆的还原氧化峰 ,其中第一对峰的 Epc1 =-0 .2 8V,Epa1 =-0 .1 8V( vs.SCE) ,为中心离子 Co( ) Co( )的还原氧化峰 ;第二对峰的 Epc2 =-1 .30 V,Epa2 =-1 .1 8V,为酞菁环的还原氧化峰 .应用循环伏安法估计了该薄膜体系的电荷传递扩散系数 Dct和表观非均相电极反应速率常数 ko .Co Pc TS4- DDAB薄膜电极可用于对三氯乙酸 ( TCA)的电化学催化还原 .催化电流与 TCA浓度在 4× 1 0 - 5～ 1× 1 0 - 3 mol L范围内成线性关系 .

干融法合成四磺酸酞菁钴

在传统生产工艺方法的基础上,利用于融法合成了四磺酸酞菁钴(CoPc)。比较详细地探讨了反应原料配比、反应温度、升温速率等条件对合成产物的影响,同时对产物的精制方法进行了改进。结果表明:利用该生产工艺方法合成四磺酸酞菁钴,收率可达90％～92％,生产时间大大缩短,并可降低劳动强度。

四磺酸基酞菁钴对于光滑Pt电极上氧还原过程的影响

将大环化合物四磺酸基酞菁钴(CoTSPc)加入到电解液中,研究了其对Pt阴极催化氧还原以及耐甲醇性能的影响.实验结果发现,这种影响与加入到溶液中的CoTSPc的浓度有关,当溶液中加入CoTSPc的浓度为0.09mmol?L-1时,Pt电极催化氧还原的电流基本不变,而有效抑制了甲醇在阴极的氧化,使甲醇氧化的峰电流值下降79.7%.

α-四(对磺酸钠苯氧基)酞菁锌(钴,镍)光敏剂的光动力性质研究

采用UV-Vis光谱、红外吸收光谱、CHN元素分析及激光解析飞行时间质谱对α-四（对磺酸钠苯氧基）酞菁锌（钴,镍）[α-PhSPcZn（Co,Ni）]进行表征.在光诱导条件下,采用四甲基偶氮唑蓝比色法（MTT法）,考察了光敏剂的中心原子、浓度和光照时间等条件下对癌细胞的抑制作用.结果显示,光照15min、浓度为0~100mg·L-1范围内时,α-PhSPcZn的抑瘤率高于α-PhSPcCo和α-PhSPcNi.抑瘤率均随光照时间和配合物浓度的增加而升高,α-PhSPcZn的抑制率可达54%,其IC50值为75mg·L-1.