四角晶场中K_2ZnF_4:Ni^（2＋）的零场分裂D

根据杂质离子可能引起晶体中杂质周围局部结构的畸变，本文计算了晶体Ｋ２ＺｎＦ４：Ｎｉ２＋的零场分裂参量Ｄ，并预言了低温下（４．

四角对称晶场中d^3离子ZFS参量的研究

利用 Macfarlane的三阶微扰理论 ,研究了 d3离子 ZFS参量随四角晶场的变化。同时研究了立方晶体中 4 A2 态与 2 E态在拉伸畸变和压缩畸变时零场分裂 (ZFS)参量的变化。

掺Cr^(3+)晶体SrLaGaO_4和Cs_2CdCl_4的EPR理论研究

根据晶体场理论,考虑到掺杂过渡金属离子的半径和价态与基质离子的差异,初步建立四角晶场中杂质离子局域结构崎变模型。并采用半自洽场d轨道模型、EPR参量高阶微扰方法、局域结构模型和点电荷模型,在强场图象中解释了掺Cr3+晶体SrLaGaO4和Cs2CdCl4的EPR谱(零场分裂参量D值以及g因子)。理论计算值与实验数据吻合较好,表明过渡金属离子局域结构伸缩模型是合理的,可运用到四角对称的其他晶体谱学特性研究。

KCdF_3晶体中Cr^(3+)-Li^+中心局域结构研究

利用零场分裂参量与晶体结构之间的定量关系 ,研究了双掺杂晶体KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 的局域结构。指出 ,对于KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 晶体 ,四角晶场的形成包含两个方面 :( 1 )由于电荷补偿而产生的等效电荷形成的四角对称晶场 ;( 2 )Cr3 + 的局域结构发生晶格畸变而产生的四角对称晶场。事实上 ,当Cr3 + 和Li+ 掺入KCdF3晶体时 ,Cr3 + 代替了Cd2 + 离子 ;由于Cr3 + 离子与Cd2 + 离子的半径不同、电荷不同、质量不同 ,导致Cr3 + 的局域结构发生晶格畸变 ,由此而产生四角对称晶场 ;由于电荷补偿 ,Li+ 离子取代了 [0 0 1 ]方向与Cr3 + 离子邻近的Cd2 + 离子 ,由此产生的等效电荷而形成的四角晶场。这样 ,Cr3 + 的局域结构由Oh 对称变为C4v点对称。文中建立了ZFS参量和晶体结构之间的定量关系。在考虑晶格畸变和等效电荷的基础上 ,研究了KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 晶体的ZFS参量 ,理论结果和实验符合很好。得到了F-离子向中心离子分别移动为ΔR1=0 0 0 2 68nm ,ΔR2 =0 0 0 1nm ,ΔR3 =0 0 0 1 65nm。

四角对称晶场中~4B_1(3d^3)态离子的磁相互作用及其自旋哈密顿参量研究

基于完全对角化方法,研究了~4B_1(3d^3)态离子在四角对称晶场中的磁相互作用,分析了自旋哈密顿参量(b02,g∥,g⊥,Δg)的微观起源.结果表明在被考虑的大部分晶场区域,人们通常考虑的SO(spin orbit)磁相互作用的贡献最为重要;然而,对于零场分裂参量b02而言,来自其他机理(包括SS(spin orbit),SOO(spin other orbit),SO SS SOO)的贡献在大部分晶场区域超过了20%;在部分晶场区域,其他机理的贡献甚至超过SO机理的贡献.详细地分析了Macfarlane零场分裂参量b02近似三阶微扰理论的收敛性,结果表明该理论在大部分晶场区域收敛性较差.讨论了3d3态离子第一激发态2Eg分裂的微观起源.并利用群论方法解释了在C4v和C3v对称晶场中2Eg态分裂的不同机理.