期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于变电阻驱动的SiC器件开关轨迹协同调控
1
作者 邹铭锐 曾正 +2 位作者 孙鹏 王亮 王宇雷 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第16期4286-4300,共15页
得益于优异的电-热性能,SiC器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用。然而,相对于Si器件,SiC器件的开关速度更快、安全裕度更低、电磁干扰更大,制约了其安全可靠运行。基于栅极驱动电阻的动态切换,该文提出一种四阶段变电阻的SiC MOS... 得益于优异的电-热性能,SiC器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用。然而,相对于Si器件,SiC器件的开关速度更快、安全裕度更低、电磁干扰更大,制约了其安全可靠运行。基于栅极驱动电阻的动态切换,该文提出一种四阶段变电阻的SiC MOSFET器件开关轨迹调控方法,实现开关速度、损耗、过冲、振荡、串扰、延迟等多项性能的协同优化,建立驱动电阻对SiC器件开关轨迹定量调控的数学模型,发现开关性能量化指标与开关轨迹不同阶段之间的解耦规律,提出分阶段变电阻的驱动方法,实现开关轨迹中多个控制目标之间的协同优化,给出驱动电阻取值的通用设计方法,提出驱动电阻切换的交错时序逻辑,对比传统驱动方法,采用大量实验结果,验证了所提模型方法的有效性。 展开更多
关键词 SIC MOSFET器件 主动栅极驱动 四阶段变电阻 开关轨迹调控 多目标协同
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部