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题名基于变电阻驱动的SiC器件开关轨迹协同调控
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作者
邹铭锐
曾正
孙鹏
王亮
王宇雷
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机构
输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)
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出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第16期4286-4300,共15页
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基金
国家自然科学基金项目(52177169)
重庆市基础研究与前沿探索项目(cstc2021zdyjA0035)
重庆市研究生科研创新项目(CYS22023)资助。
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文摘
得益于优异的电-热性能,SiC器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用。然而,相对于Si器件,SiC器件的开关速度更快、安全裕度更低、电磁干扰更大,制约了其安全可靠运行。基于栅极驱动电阻的动态切换,该文提出一种四阶段变电阻的SiC MOSFET器件开关轨迹调控方法,实现开关速度、损耗、过冲、振荡、串扰、延迟等多项性能的协同优化,建立驱动电阻对SiC器件开关轨迹定量调控的数学模型,发现开关性能量化指标与开关轨迹不同阶段之间的解耦规律,提出分阶段变电阻的驱动方法,实现开关轨迹中多个控制目标之间的协同优化,给出驱动电阻取值的通用设计方法,提出驱动电阻切换的交错时序逻辑,对比传统驱动方法,采用大量实验结果,验证了所提模型方法的有效性。
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关键词
SIC
MOSFET器件
主动栅极驱动
四阶段变电阻
开关轨迹调控
多目标协同
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Keywords
SiC MOSFET device
active gate driver
four-phase varied gate resistance
switching trajectory regulation
multi-objective coordination
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分类号
TM464
[电气工程—电器]
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