介绍了一种低剖面宽带双圆极化微带天线单元及四元阵列的设计。天线单元设计中采用L探针耦合理论和薄膜天线结构,增大天线带宽的同时实现低剖面;采用四点反相馈电技术有效抑制了交叉极化,增加了两个极化端口之间的隔离度。对孤立单元及1...介绍了一种低剖面宽带双圆极化微带天线单元及四元阵列的设计。天线单元设计中采用L探针耦合理论和薄膜天线结构,增大天线带宽的同时实现低剖面;采用四点反相馈电技术有效抑制了交叉极化,增加了两个极化端口之间的隔离度。对孤立单元及1×4小阵的仿真及实测结果表明,该天线阵在33.3%的带宽内驻波比优于1.9,两端口隔离度小于-30 d B,轴比小于1.8 d B。展开更多
文摘介绍了一种低剖面宽带双圆极化微带天线单元及四元阵列的设计。天线单元设计中采用L探针耦合理论和薄膜天线结构,增大天线带宽的同时实现低剖面;采用四点反相馈电技术有效抑制了交叉极化,增加了两个极化端口之间的隔离度。对孤立单元及1×4小阵的仿真及实测结果表明,该天线阵在33.3%的带宽内驻波比优于1.9,两端口隔离度小于-30 d B,轴比小于1.8 d B。