金属栅回刻平坦化技术

随着CMOS集成电路技术节点缩减到45 nm及以下,高K金属栅(HK/MG)的后栅集成工艺已逐渐成为先进集成电路制造中的主流技术。其中金属栅(假栅)集成结构的平坦化是实现后栅集成的关键技术之一。本文通过特色开发的SOG两步等离子体回刻结合O2原位处理技术,克服了常规反应离子刻蚀中由于聚合物分布不均对刻蚀速度带来的不利影响,实现了隔离绝缘层低达4.19%(边缘去除5 mm)的片内非均匀性。不同稀疏与密集线阵列的亚微米CMOS后栅结构表明良好的平坦化效果并且避免了类似CMP(Chemical Mechanical Polish)工艺中常出现的"碟形效应"问题。所研制成功的无CMP后栅平坦化工艺为制备纳米级高K金属栅CMOS后栅器件打下了重要基础。

杨葆光过录黄小田《新增批评绣像红楼梦》评语录后

南京博物院藏同治元年宝文堂藏板东观阁印行的《新增批评绣像红楼梦》一百二十回刻本,分装成二十四册,其中少数几本在《江苏历史陈列》中展出。这个本子不佳,刻工恶滥,鲁鱼亥豕,连篇累牍;半页十行,行二十二宇,附评语,因为又附墨笔批评,一九七八年初,引起史树青同志的注意,翻捡之下,得知是红豆词人杨葆光过录黄小田的一种评本,外间尚来为人所知。同年夏,前院长姚迁同志组织人力抄出,但未发表。一九八○年六月,胡文彬同志根据抄件,著录在《红楼梦叙录》一书中,但将一书误析为黄小田、杨葆光两个评本。现特为全文公布,以供红学界人士及《红楼梦》爱好者研究参考。

沟槽肖特基二极管工艺研究

随着国家对新能源电子产品的大力扶持,各种节能型电子产品日益壮大,其中沟槽型肖特基二极管相比于平面型具有不可比拟的优势,最近备受青睐。结合六英寸生产线的工艺能力,通过设计沟槽,优化多晶回刻,引入ONO层间介质和控制Pt基势垒金属合金,创新地建立一套沟槽SBD工艺平台,生产出沟槽型肖特基二极管,其参数性能已经达到或超过业内同类产品水平。