沿a/b轴择优取向Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的回线动力学标度

测量了在Pt／Ti／SiO2／Si上生长的36％a／b轴择优取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的电滞回线，并研究了薄膜的回线动力学标度。外加电场频率的变化范围0．4～10kHz，电场幅值的变化范围653～1045kV·cm^-1。在外电场频率一定时，该Bi4Ti3O12薄膜的回线面积随外电场幅值的增大而增大。当外电场幅值固定时，回线面积随外电场频率的上升先增加后减小。当f=1kHz时，回线面积最大。由此可知，该Bi4Ti3O12薄膜中畴翻转的特征时间约1ms。在外电场频率低于1kHz时，回线面积〈A〉∝f^-0.02883E0；在1kHz以上高频段有标度关系〈A〉∝f^-0.05388E0。

稀土掺杂Bi4Ti3O12铁电薄膜取向生长回线动力学研究

稀土掺杂层状钙钛矿结构的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有居里温度高,自发极化大,耐疲劳性好的特点,适用于制作铁电储存器。由于Bi4Ti3O12铁电薄膜的自发极化矢量靠近a轴,近a轴生长的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有大的剩余极化强度。对比研究了随机取向Bi4Ti3O12铁电薄膜和a/b轴择优取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的回线动力学标度。结果表明a/b轴高择优取向度的Bi4Ti3O12铁电薄膜的标度关系为:低频段∝f 0.043E00.8;高频段∝f-0.21E00.8。a/b轴低择优取向度的Bi4Ti3O12铁电薄膜的标度关系为:∝f-0.05E00.917。随机取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的标度关系在高频和低频统一为∝f-0.07E01.31。