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《固体电子学研究与进展》专栏征稿主题:碳基电子器件及应用
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《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期468-468,共1页
碳基电子技术被认为是“后摩尔时代的颠覆性技术之一”,以三维金刚石、二维石墨烯和一维碳纳米管等为典型代表的碳基电子材料各具优异特性,给新一代射频、太赫兹、高线性以及光电探测传感等器件领域带来了技术创新甚至变革性应用的希望... 碳基电子技术被认为是“后摩尔时代的颠覆性技术之一”,以三维金刚石、二维石墨烯和一维碳纳米管等为典型代表的碳基电子材料各具优异特性,给新一代射频、太赫兹、高线性以及光电探测传感等器件领域带来了技术创新甚至变革性应用的希望,但是不同碳基材料和器件目前又面临系列的不同技术挑战和难题,远未发挥应有的性能潜力,仍需进一步探索和深入研究,共同寻求突破和解决方案。 展开更多
关键词 碳纳米管 碳基 固体电子 光电探测 性能潜力 电子技术 石墨烯 太赫兹
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《固体电子学研究与进展》专栏征稿 主题:碳基电子器件及应用
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《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期368-368,共1页
碳基电子技术被认为是“后摩尔时代的颠覆性技术之一”,以三维金刚石、二维石墨烯和一维碳纳米管等为典型代表的碳基电子材料各具优异特性,给新一代射频、太赫兹、高线性以及光电探测传感等器件领域带来了技术创新甚至变革性应用的希望... 碳基电子技术被认为是“后摩尔时代的颠覆性技术之一”,以三维金刚石、二维石墨烯和一维碳纳米管等为典型代表的碳基电子材料各具优异特性,给新一代射频、太赫兹、高线性以及光电探测传感等器件领域带来了技术创新甚至变革性应用的希望,但是不同碳基材料和器件目前又面临系列的不同技术挑战和难题,远未发挥应有的性能潜力,仍需进一步探索和深入研究,共同寻求突破和解决方案。 展开更多
关键词 碳纳米管 碳基 固体电子 光电探测 性能潜力 电子技术 石墨烯 太赫兹
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《固体电子学研究与进展》专栏征稿 主题:碳基电子器件及应用
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《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第3期276-276,共1页
碳基电子技术被认为是“后摩尔时代的颠覆性技术之一”,以三维金刚石、二维石墨烯和一维碳纳米管等为典型代表的碳基电子材料各具优异特性,给新一代射频、太赫兹、高线性以及光电探测传感等器件领域带来了技术创新甚至变革性应用的希望... 碳基电子技术被认为是“后摩尔时代的颠覆性技术之一”,以三维金刚石、二维石墨烯和一维碳纳米管等为典型代表的碳基电子材料各具优异特性,给新一代射频、太赫兹、高线性以及光电探测传感等器件领域带来了技术创新甚至变革性应用的希望,但是不同碳基材料和器件目前又面临系列的不同技术挑战和难题,远未发挥应有的性能潜力,仍需进一步探索和深入研究,共同寻求突破和解决方案。为探讨碳基电子从材料至芯片层面的关键技术与面临的实际问题,《固体电子学研究与进展》计划开展“碳基电子器件及应用”专题栏目组稿,现向相关专家学者征集该方向的研究论文及展望综述,以促进该领域的技术交流、创新与发展。 展开更多
关键词 固体电子 专题栏目 性能潜力 碳基材料 光电探测 变革性 技术交流 颠覆性技术
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《固体电子学研究与进展》专栏征稿 主题:固态太赫兹器件及应用
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《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第3期275-275,共1页
太赫兹技术被称为“改变世界的十大科技之一”,近年来在雷达、通信、探测、天文、医学生物等多个领域展现出了极高的科学研究和应用价值,逐渐成为学术界和产业界的研究热点。随着半导体制造工艺的不断发展,固态半导体器件在太赫兹“信... 太赫兹技术被称为“改变世界的十大科技之一”,近年来在雷达、通信、探测、天文、医学生物等多个领域展现出了极高的科学研究和应用价值,逐渐成为学术界和产业界的研究热点。随着半导体制造工艺的不断发展,固态半导体器件在太赫兹“信号产生”与“信号接收”中发挥着重要作用。硅基半导体(如CMOS、SiGe等)器件具有低成本、小型化及高集成度特点,而化合物半导体(如GaAs、InP、GaN等)器件具有优异的高频特性及功率、噪声特性,研究不同的太赫兹器件应用具有重要意义。 展开更多
关键词 半导体制造工艺 化合物半导体 固体电子 太赫兹器件 高频特性 信号接收 SIGE 医学生物
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《固体电子学研究与进展》2023年度优秀论文获奖公告
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作者 《固体电子学研究与进展》编辑部 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期92-92,共1页
为了鼓励广大科技工作者积极展示优秀科研成果,促进学术交流,提高办刊水平,《固体电子学研究与进展》编辑部组织了年度优秀论文评选工作,聘请专家组对2023年刊发的论文进行了评审打分,共评选出10篇优秀论文,特此公告(排名不分前后)。
关键词 科技工作者 固体电子 办刊水平 优秀科研成果 特此公告 学术交流 积极展示 优秀论文
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《固体电子学研究与进展》专栏征稿 主题:固态太赫兹器件及应用
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《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期367-367,共1页
太赫兹技术被称为“改变世界的十大科技之一”,近年来在雷达、通信、探测、天文、医学生物等多个领域展现出了极高的科学研究和应用价值,逐渐成为学术界和产业界的研究热点。随着半导体制造工艺的不断发展,固态半导体器件在太赫兹“信... 太赫兹技术被称为“改变世界的十大科技之一”,近年来在雷达、通信、探测、天文、医学生物等多个领域展现出了极高的科学研究和应用价值,逐渐成为学术界和产业界的研究热点。随着半导体制造工艺的不断发展,固态半导体器件在太赫兹“信号产生”与“信号接收”中发挥着重要作用。硅基半导体(如CMOS、SiGe等)器件具有低成本、小型化及高集成度特点,而化合物半导体(如GaAs、InP、GaN等)器件具有优异的高频特性及功率、噪声特性,研究不同的太赫兹器件应用具有重要意义。 展开更多
关键词 半导体制造工艺 化合物半导体 太赫兹器件 固体电子 半导体器件 高频特性 信号接收 SIGE
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新世纪固体电子学发展展望 被引量:1
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作者 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-4,共4页
关键词 固体电子 有机材料 纳米科学
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2017年《固体电子学研究与进展》征订通知
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《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期434-,共1页
本刊系南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)。主要刊登固体物理、宽禁带半导体、射频/微波器件和电路、纳米技术、MEMS、固体光电和电光转换器件、OLED和各种固体电子器件及其应用等文章。设有'学术论文'、'研... 本刊系南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)。主要刊登固体物理、宽禁带半导体、射频/微波器件和电路、纳米技术、MEMS、固体光电和电光转换器件、OLED和各种固体电子器件及其应用等文章。设有'学术论文'、'研究报告'、'研究简讯'、'会议报道'等栏目。介绍科研创新成果,探讨不同学术见解,交流工作经验,报道研究动态。 展开更多
关键词 固体电子 征订通知 固体电子器件
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固体电子论分析CuZnAl记忆合金有序转变与马氏体稳定化 被引量:3
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作者 邢胜娣 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第1期71-73,共3页
应用固体经验电子理论,计算了CuZnAl记忆合金中第4组元Ni和Mn对A_2→B_2和B_2→DO_3两种有序转变温度的影响。计算得出:Ni提高而Mn降低合金的有序转变温度。这与Ni和Mn对合金的马氏体稳定化影响的趋... 应用固体经验电子理论,计算了CuZnAl记忆合金中第4组元Ni和Mn对A_2→B_2和B_2→DO_3两种有序转变温度的影响。计算得出:Ni提高而Mn降低合金的有序转变温度。这与Ni和Mn对合金的马氏体稳定化影响的趋势一致。表明固体电子论可以说明CnZnAl合金的稳定化和用来指导探索记忆性能好的合金。 展开更多
关键词 固体电子 有序转变 CUZNAL
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微电子学与固体电子学学科简介 被引量:1
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作者 温殿忠 《黑龙江大学工程学报》 2011年第3期177-177,共1页
黑龙江大学微电子学与固体电子学学科,是在1972年成立的半导体器件专业的基础上发展起来的,1986年国务院学位办授予该学科硕士学位授予权。同年,经省人事厅批准为省级重点学科,2003年国务院学位委员会授予该学科博士学位授予权。200... 黑龙江大学微电子学与固体电子学学科,是在1972年成立的半导体器件专业的基础上发展起来的,1986年国务院学位办授予该学科硕士学位授予权。同年,经省人事厅批准为省级重点学科,2003年国务院学位委员会授予该学科博士学位授予权。2009年依托该学科获得了电子科学与技术一级学科博十后流动站。 展开更多
关键词 固体电子 电子 硕士学位 黑龙江大学 半导体器件 科学与技术 重点学科 博士学位
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《固体电子学研究与进展》2009年(第29卷)第1~4期总目次
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《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期I0001-I0007,共7页
关键词 SIC DESIGN ALGAN 固体电子 目次
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《固体电子学研究与进展》2008年(第28卷)第1~4期总目次
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《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期I0001-I0008,共8页
关键词 Design AI SIC PHEMT GAAS 固体电子 SIGE 目次
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《固体电子学研究与进展》2016年(第36卷)第1~6期总目次
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《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期514-520,共7页
关键词 Design SIC 固体电子 GAAS LTCC 陈刚 MMIC 目次
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《固体电子学研究与进展》2007年(第27卷)第1~4期总目次
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《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期I0001-I0006,共6页
关键词 HEMT GAN 郭维 张世林 SIC HFET MOSFET HSPICE 固体电子 目次
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《固体电子学研究与进展》2005年(第25卷)第1~4期总目次
15
《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期I0001-I0007,共7页
关键词 SIC 固体电子 带隙电压基准 目次
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九十年代固体电子学展望
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作者 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期1-2,共2页
90年代将是固体电子学继续繁荣的年代,发现、创新、形成新的规模、开辟新的技术、开拓新的应用等等,将继续是其特点.旧的差距,新的发展,要求我们作出更有效的努力.面临着严重的挑战,我们应该做些什么——能够做些什么呢?
关键词 固体电子 电子 电子器件
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《固体电子学研究与进展》2004年(第24卷)第1~4期总目次
17
《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期i001-i003,共3页
关键词 固体电子 低功耗 电荷泵锁相环 目次
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《固体电子学研究与进展》2010年(第30卷)第1~4期总目次
18
《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期I0001-I0007,共7页
关键词 2010 小数频率综合器 固体电子 张润 吴晓波 DC OU 目次
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《固体电子学研究与进展》2019年(第39卷)第1~6期总目次
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《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第6期I0001-I0008,共8页
关键词 ALGAINP 电流崩塌 固体电子学研究与进展》
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《固体电子学研究与进展》2015年(第35卷)第1~6期总目次
20
《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期608-614,共7页
关键词 固体电子 ALGAN 解析模型 郑耀华 微带 肖特基势垒 表面势 围栅 频率合成器 频率源
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