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固体纳米电子器件和分子器件
被引量:
10
1
作者
郭维廉
《微纳电子技术》
CAS
2002年第4期1-7,共7页
综述了两类纳米电子器件———固体纳米电子器件和分子电子器件的定义、分类方法及特点,并提出发展纳米电子器件的几点建议。
关键词
固体
纳米
电子器件
分子
电子器件
单
电子器件
共振隧穿
器件
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职称材料
《电子器件》2010年第1~6期总目录
2
《电子器件》
CAS
2010年第6期801-804,共4页
关键词
2010
固体电子器件
程知
刘敬
射频功率放大器
电子
电路
电子
技术
低噪声放大器
线路放大器
锁相频率合成器
超宽带
ADF
董芳
刘军
高增益
开关变换器
电路系统
分析计算
张鹤鸣
粒子群算法
总剂量效应
徐胜
目录
检索工具
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职称材料
2017年《固体电子学研究与进展》征订通知
3
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期434-,共1页
本刊系南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)。主要刊登固体物理、宽禁带半导体、射频/微波器件和电路、纳米技术、MEMS、固体光电和电光转换器件、OLED和各种固体电子器件及其应用等文章。设有'学术论文'、'研...
本刊系南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)。主要刊登固体物理、宽禁带半导体、射频/微波器件和电路、纳米技术、MEMS、固体光电和电光转换器件、OLED和各种固体电子器件及其应用等文章。设有'学术论文'、'研究报告'、'研究简讯'、'会议报道'等栏目。介绍科研创新成果,探讨不同学术见解,交流工作经验,报道研究动态。
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关键词
固体
电子
学
征订通知
固体电子器件
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职称材料
基于SOI的双极场效应晶体管
被引量:
1
4
作者
曾云
滕涛
+2 位作者
晏敏
高云
尚玉全
《微细加工技术》
2004年第4期16-21,共6页
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底...
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件———基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理。与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。
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关键词
双极MOS场效应晶体管
绝缘衬底上的硅
体硅
固体电子器件
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职称材料
征稿启事
5
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期F0002-F0002,共1页
《固体电子学研究与进展》是全国性学术期刊,向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性研究。征稿主要范围是:无机和有机固体物理,硅微电子,射频器件和微波集成电路,微机电系统(MEMS),纳米技术,固体光电...
《固体电子学研究与进展》是全国性学术期刊,向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性研究。征稿主要范围是:无机和有机固体物理,硅微电子,射频器件和微波集成电路,微机电系统(MEMS),纳米技术,固体光电和电光转换器件,有机发光器件(OLED)和有机微电子技术,高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和论文,来稿希打印在A4纸上,控制在6页以内。建议作者同时介绍一下论文的工作背景,原创性、先进性与指导意义,并给出作者的联系信息(邮寄地址、电话、E-mail),打印后与论文一并邮寄到编辑部。
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关键词
文献类型
固体电子器件
有机发光
器件
电光
器件
出版者
电光转换器
射频
器件
邮寄地址
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职称材料
封面说明
6
《大学物理》
北大核心
2008年第1期23-23,共1页
关键词
封面说明
布拉顿
肖克莱
固体电子器件
第一只
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职称材料
题名
固体纳米电子器件和分子器件
被引量:
10
1
作者
郭维廉
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第4期1-7,共7页
文摘
综述了两类纳米电子器件———固体纳米电子器件和分子电子器件的定义、分类方法及特点,并提出发展纳米电子器件的几点建议。
关键词
固体
纳米
电子器件
分子
电子器件
单
电子器件
共振隧穿
器件
Keywords
solid state nanoelectronic device
molecular electronic device
single electron de-vice
resonant tunneling device
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
《电子器件》2010年第1~6期总目录
2
出处
《电子器件》
CAS
2010年第6期801-804,共4页
关键词
2010
固体电子器件
程知
刘敬
射频功率放大器
电子
电路
电子
技术
低噪声放大器
线路放大器
锁相频率合成器
超宽带
ADF
董芳
刘军
高增益
开关变换器
电路系统
分析计算
张鹤鸣
粒子群算法
总剂量效应
徐胜
目录
检索工具
分类号
TN [电子电信]
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职称材料
题名
2017年《固体电子学研究与进展》征订通知
3
机构
<固体电子学研究与进展>编辑部
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期434-,共1页
文摘
本刊系南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)。主要刊登固体物理、宽禁带半导体、射频/微波器件和电路、纳米技术、MEMS、固体光电和电光转换器件、OLED和各种固体电子器件及其应用等文章。设有'学术论文'、'研究报告'、'研究简讯'、'会议报道'等栏目。介绍科研创新成果,探讨不同学术见解,交流工作经验,报道研究动态。
关键词
固体
电子
学
征订通知
固体电子器件
分类号
TN0 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于SOI的双极场效应晶体管
被引量:
1
4
作者
曾云
滕涛
晏敏
高云
尚玉全
机构
湖南大学微电子研究所
出处
《微细加工技术》
2004年第4期16-21,共6页
文摘
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件———基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理。与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。
关键词
双极MOS场效应晶体管
绝缘衬底上的硅
体硅
固体电子器件
Keywords
BJMOSFET
SOI
bulk silicon
solid electronic device
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
征稿启事
5
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期F0002-F0002,共1页
文摘
《固体电子学研究与进展》是全国性学术期刊,向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性研究。征稿主要范围是:无机和有机固体物理,硅微电子,射频器件和微波集成电路,微机电系统(MEMS),纳米技术,固体光电和电光转换器件,有机发光器件(OLED)和有机微电子技术,高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和论文,来稿希打印在A4纸上,控制在6页以内。建议作者同时介绍一下论文的工作背景,原创性、先进性与指导意义,并给出作者的联系信息(邮寄地址、电话、E-mail),打印后与论文一并邮寄到编辑部。
关键词
文献类型
固体电子器件
有机发光
器件
电光
器件
出版者
电光转换器
射频
器件
邮寄地址
分类号
TN [电子电信]
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职称材料
题名
封面说明
6
出处
《大学物理》
北大核心
2008年第1期23-23,共1页
关键词
封面说明
布拉顿
肖克莱
固体电子器件
第一只
分类号
O [理学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
固体纳米电子器件和分子器件
郭维廉
《微纳电子技术》
CAS
2002
10
下载PDF
职称材料
2
《电子器件》2010年第1~6期总目录
《电子器件》
CAS
2010
0
下载PDF
职称材料
3
2017年《固体电子学研究与进展》征订通知
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
4
基于SOI的双极场效应晶体管
曾云
滕涛
晏敏
高云
尚玉全
《微细加工技术》
2004
1
下载PDF
职称材料
5
征稿启事
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
下载PDF
职称材料
6
封面说明
《大学物理》
北大核心
2008
0
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职称材料
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