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固体薄膜材料裂纹分形结构维数计算中的不确定性研究
被引量:
3
1
作者
杨国伟
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
1998年第1期63-65,共3页
讨论了固体薄膜材料裂纹分形研究中出现的一类分维不确定性问题,指出实际分形体的近似分形结构是其产生的根本原因,并在数学上给予了证明,材料断裂行为中的多度域似分形结构维数测量、计算中也存在分维不确定性问题,文中也进行了讨论。
关键词
分形
不确定性
固体薄膜材料
裂纹
维数
下载PDF
职称材料
FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析
被引量:
3
2
作者
王广甫
张荟星
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期535-539,共5页
掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XP...
掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XPS分析表明Ta-C:N薄膜中的N主要以C—N的方式与C结合。N2分压越大,N/C原子比越高,最高可达31.1%。但同时sp3键含量越低,并且合成Ta-C:N薄膜的速度越慢。
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关键词
磁过滤阴极真空弧沉积
掺杂
固体薄膜材料
钽-碳
薄膜
氮原子
X射线分析
RAMAN光谱分析
下载PDF
职称材料
题名
固体薄膜材料裂纹分形结构维数计算中的不确定性研究
被引量:
3
1
作者
杨国伟
机构
湘潭大学
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
1998年第1期63-65,共3页
文摘
讨论了固体薄膜材料裂纹分形研究中出现的一类分维不确定性问题,指出实际分形体的近似分形结构是其产生的根本原因,并在数学上给予了证明,材料断裂行为中的多度域似分形结构维数测量、计算中也存在分维不确定性问题,文中也进行了讨论。
关键词
分形
不确定性
固体薄膜材料
裂纹
维数
Keywords
material, fractal
uncertainty
分类号
TB301 [一般工业技术—材料科学与工程]
O346.1 [理学—固体力学]
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职称材料
题名
FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析
被引量:
3
2
作者
王广甫
张荟星
机构
北京师范大学分析测试中心
北京师范大学低能核物理研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期535-539,共5页
基金
国家"863"计划资助项目(863-715-008-0040)
文摘
掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XPS分析表明Ta-C:N薄膜中的N主要以C—N的方式与C结合。N2分压越大,N/C原子比越高,最高可达31.1%。但同时sp3键含量越低,并且合成Ta-C:N薄膜的速度越慢。
关键词
磁过滤阴极真空弧沉积
掺杂
固体薄膜材料
钽-碳
薄膜
氮原子
X射线分析
RAMAN光谱分析
Keywords
filtered cathodic vacuum arc deposition
Ta-C( N) films
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
固体薄膜材料裂纹分形结构维数计算中的不确定性研究
杨国伟
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
1998
3
下载PDF
职称材料
2
FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析
王广甫
张荟星
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
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引证文献
统计分析
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