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氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究 被引量：2
1
作者 谢二庆 徐灿 +1 位作者 王永谦 陈光华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期346-348,共3页
本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜．直流电导测量表明，室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级．经５７３Ｋ温度退火后，掺杂膜的电导接近，但仍要高于本征膜的电导率，说明仍有少量的氢留在薄膜中．
关键词 固体c60 分子半导体 氢掺杂 电导性质
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