埋氧层固定界面电荷对RESURF SOI功率器件击穿特性的影响

通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程,建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURFSOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模型。解析结果与半导体器件模拟器MEDICI数值分析结果相吻合。在此基础上,分别研究了Qf对RESURFSOI功率器件横向和纵向击穿特性的影响规律。在横向,讨论了不同硅膜厚度、氧层厚度和漂移区长度情况下Qf对表面电场分布的影响;在纵向,通过分析硅膜内的场和势的分布,提出了临界埋氧层固定界面电荷密度的概念,这是导致器件发生失效的最低界面电荷密度。

利用界面固定负电荷在MIP-Al_xGa_(1-x)As中构造感应势的理论计算及其太阳电池的实验研究

介绍利用界面固定负电荷在MIP-AlxGa1-xAs中产生的感应势,并用于提高Al1-xGaxAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想。提出了分段计算求解泊松方程的数值计算方法。报道了利用分段数值计算,得到不同界面固定负电荷密度下,在不同掺杂浓度的半导体P-AlxCa1-xA5中界面附近的价带曲线Ev(x),以及Ev(0)值,空穴积累区宽度w值和表面空穴浓度p(0)值。文中还报道了基于这种思想所研制太阳电池的实验结果。